石墨烯纳米构电子自旋性质的第一性原理研究.pdfVIP

摘 要 近年来，石墨烯的磁性研究引起了人们的极大关注。不同于一些含d或厂壳层电子的元素构成 的材料，碳材料通常不呈现磁性，而通过修饰和制造缺陷等方法可以使石墨烯产生磁性。石墨烯中 只存在较弱的自旋．轨道耦合，电子自旋传输过程中容易控制，因而它被认为是制造自旋电子器件如 自旋场效应晶体管(SFET)的理想材料。 Simulation 本文应用基于密度泛函理论的VASP(ⅥenIlaAb—initio Package)程序包，采用超原胞方 法系统研究了几种石墨烯纳米结构的电子结构和自旋特性，得到了一些比较有意义的结果。 1．石墨烯上碳空位团诱导磁性规律 研究了不同空位团缺陷对石墨烯电子自旋特性的影响。石墨烯空位诱导磁性依赖于局域的键合 环境，缺失奇数个碳(C)原子的空位构型至少存在一个悬挂键，空位处的未配对电子的自旋极化诱导 了石墨烯体系的磁性。含空位(单空位除外)石墨烯体系的基态磁矩大小可表示为公式心=(1、I_。吩如， n是指缺失的c原子数目Jtn为大于1的整数，Ⅳ6代表空位周围断了键的c原子数目