离子注入法备银掺杂氧化锌纳米线阵列及发光性质研究.pdfVIP

摘要 摘要 ZnO是一种II．Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度达到 3．37eV，束缚激子结合能高达60meV，具有很好的光电、光敏、压电、压敏特 性，在可见光区域内有较大的透光率，是制备紫外光探测器、激光器二极管、 发光二极管、太阳能电池等器件的优选材料。为了能让ZnO广泛应用于各类光 电器件，有必要对ZnO进行掺杂来改善其物理和化学性能。离子注入技术是当 今一种重要的半导体材料掺杂技术。 采用热蒸发氧化锌和石墨粉末混合物的方法，在硅衬底上合成了氧化锌纳 米线阵列，然后采用能量为63keV、剂量为5×1015ions／em2的银离子对其进行 离子注入掺杂。掺杂后样品在空气中退火，退火温度为600到1000。C。利用扫 描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜、选区能谱仪和荧光分光光度计 研究了制备态和银离子注入氧化锌纳米线阵列的结构和发光性能。 改进反应室结构后，反应源温度为920℃、载气流量为60sccm条件下制备 的ZnO纳米线阵列的定向性、结晶质量是最好的。样品在源温度920℃条件下 定向性最好，温度过低不利于ZnO纳米线阵列密集生长，而温度过高导致Zn 原予二次蒸发因而也不