脉冲激光辐半导体表面的热效应分析.pdfVIP

摘 要 激光与材料相互作用会使材料升温，发生热扩散、热膨胀和产生 热应力，从而导致物质的状态、结构发生改变。我们可以利用这一点 进行激光加工和热处理。材料吸收激光能量的多少除了与材料本身的 性质有关，还和激光参数的变化密切相关。本文用mathematica语言编 程，以热传导方程为基础，数值模拟了长脉冲和超短脉冲激光辐照下 半导体表面的温度分布。着重讨论了不同激光脉冲参数的变化对半导 体材料在脉冲激光辐照下产生的热效应的影响。主要内容如下： 1、以一维热传导方程为计算模型，采用有限差分法数值模拟了 GaAs表面温度场的分布。讨论了激光波长、光束半径、激光束光强分 布、激光能量、辐照时间等激光脉冲参数的影响。总结分析了脉冲激 光作用于半导体的破坏机理。 2、以半导体载流子速率方程和双温方程为物理模型，采用隐式 有限差分法对其进行数值求解，数值模拟了半导体在飞秒激光辐照下 的温升。主要考虑了激光波长、脉冲间隔、脉冲能量和脉宽不同激光 参数对温升的影响。 研究表明，激光脉冲的功率密度直接影响材料表面单位面积吸收 激光能量的多少，从而影响材料温升大小；激光脉宽对功率密度影响 较大，因而对材料的温升影响较大；材料的吸收系数与入射光波长密 切相关，因此激光波长也会对材料的温升产生较大影响。在飞秒激光 作用时