超声雾化法备er3+掺杂sno2薄膜结构与性质研究.pdfVIP

摘要 摘 要 二氧化锡是～种n型宽禁带半导体材料。传统上，Sn02薄膜被广泛应用于透 明导电薄膜、气敏传感器和太阳能电池等领域。近年来，越来越多的研究者开 始关注Sn02薄膜纳米粒子的制备技术及新的光电性质的研究，它被认为是下一 代最具潜力的光电材料之一。尤其是二氧化锡掺稀土元素铒离子，发出1540nm 的红外光，正好对应于石英光纤的最小吸收波长，在光纤传输与光电子器件中 起着很重要的作用。 本文研究了超声雾化法制备薄膜工艺。以SnCl4·5H20作为前驱体溶液和 ErCl3·6H20作为掺杂剂，在玻璃衬底和硅片衬底上分别沉积不同工艺参数的掺 铒Sn02薄膜。主要研究了超声雾化器中前驱液浓度，载气流量和衬底温度对掺 铒二氧化锡薄膜的导电率和透过率的影响，以及铒掺杂浓度和退火温度对掺铒 Sn02薄膜的结构和光致发光性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电 子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计和荧光光谱仪等测试手段对薄膜进行结 构和性能的测试。X．射线衍射图和SEM图表明，超声雾化法制备的掺铒Sn02 薄膜具有纯金红石结构和相当高的结晶形念，且薄膜表面较平整，薄膜粒子大 小随着掺铒浓度的增大而减小。通过对薄膜导电率