腐蚀法制备择性发射极单晶硅太阳能电池的研究.pdfVIP

中文摘要 摘要：本文主要研究了腐蚀法制备单晶硅选择性发射极太阳能电池。 选择性发射极的核心是表面的重／轻掺杂区发射极，本文通过深入的研究最终 确定了制备单晶硅选择性发射极太阳能电池的新扩散和腐蚀工艺：重扩散方阻为 者的对位印刷对选择性发射极太阳能电池的制备也很重要，本文通过实验分析了 印刷机和刮刀对对位印刷的影响。发现同一台印刷机，同一块正银网版，同一套 刮刀，对位精度高；同一台印刷机，正银与掩膜网版配套，印刷掩膜和正银不是 同一套刮刀，对位存在问题，但基本满足要求。 最后通过实验片和正常片的测试结果对比，研究了选择性发射极太阳能电池 对基本特征参数的影响，通过实验发现，SE工艺在开路电压Voc上增加了0．008V， 0．72％。 关键词：腐蚀；选择性发射极；太阳能电池；方块电阻 分类号：TM914．4 AB STRACT ABSTRACT：Inthis theselective thesis，I mainlystu