金催化化学相沉积法制备bi2te3纳米线.pdfVIP

摘要 碲化铋是V-Ⅵ族元素化合物半导体，因为其良好的热电效应而 受到广泛关注，更因其三维拓扑绝缘体结构而引发了新一轮的研究 热潮。由于三维拓扑绝缘体的表面态中电子自旋．轨道耦合，这一特 性使拓扑绝缘体有望成为制备室温下低能耗白旋电子器件的绝佳材 料。低维纳米结构的拓扑绝缘体由于具有更高的表体比，表面态处 于主导地位，从而拥有更好的表面与界面效应。目前，由于难以制 备高质量的碲化铋一维纳米结构而限制了碲化铋在实验领域的研究 进展。为此，本文就金催化化学气相沉积法制备碲化铋纳米线展开 研究，通过调控诸多宏观实验条件摸索出了化学气相沉积法制备碲 化铋纳米线的最佳实验条件，并讨论了金纳米颗粒及各宏观实验条 件对碲化铋纳米线生长的影响。 主要研究结果如下： 1、利用热蒸发镀膜仪在100硅片表面镀上3nlTl厚的金膜， 以此为基底，将高纯度的碲化铋粉末作为蒸发源，以氩气作为载气 进行化学气相沉积。在420℃的生长温度下，通以60SCCM的心 作为载气，沉积生长4．5