钙钛矿结构属氧化物薄膜的电阻开关性能研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限，下一代新型的非易失性存储器件 应运而生，其中包括相变存储器、聚合体存储器、磁存储器和电阻存储器。在这些存储 器中，电阻随机存取存储器由于其具有结构简单、存储密度高、低功耗、写入和擦除速 度过程非常快等优越的特性成为其中最具竞争力的候选对象。近年来，钙钛矿金属氧化 物，比如La Sr MnO (LCMO)和Pr Ca MnO (PCMO), SrTiO (STO)等，在未来非 0.67 0.33 3 0.67 0.33 3 3 挥发性存储器的应用上面引起了科学家极大的研究兴趣。然而，RRAM 的微观机制目前 还一直存在争议，理论分析还较相当欠缺，但依然有比较大的研究空间，本文通过实验 主要研究LSMO薄膜电阻开关特性，并获得了一些有意义的实验结果。 在第二章中，我们采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了LSMO薄膜，利用真空直流溅 射仪蒸镀Au纳米颗粒于LSMO薄膜的表面，并利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜 （AFM ）等分析手段分别对其表面