铜掺杂氧化薄膜的阻变特性和光致发光研究.pdfVIP

摘 要 2000 年, 美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu 等人发现电脉冲触发可逆电阻转变 效应, 他们并提出RRAM(resistance random access memory)概念, 同时发现RRAM 还具 有高响应速度、尺寸伸缩性强、多位存储、结构简单等优点。从此, RRAM 的研究已成 为材料学物理学、电子器件的领域研究热点。人们在机理研究、材料探索、以及器件研 制等方面都取得了长足进展。RRAM 可能成为通用存储器, 但是性能指标有待进一步优 化。由于RRAM 是一种全新的存储技术, 目前, 电阻开关效应真正的机制存在争议, 由 于机制的不明确束缚了阻变存储器的在应用中的步伐。电阻转变过程中元素的变化、部 位的确认以及电阻转变的重复性问题, 是当前RRAM 研究所面临的紧要问题；同时, 寻 找性能、制备都满足要求的材料仍是RRAM 发展的关键。 作为候选电阻式随机存取存储器的材料主要有:具有简单结构的二元氧化物、具有复 杂成分的钙钛矿型的多元氧化物、有机化合物。其中最具潜力的当属二元过渡金属氧化 物半导体材料, 研究的热点主要有:二氧化钛、氧化锌、氧化镍、二氧化锆、氧化铜、氧 化铈等。它的存储单元具有简单的类似电容的三明治结构, 由两边的金属电极和中间的 绝缘或半导体材料构成。这种电阻开关现象表现出了极为迅速的开关速度和巨大的开关 比, 具有重大的科学研究价值与意义和广阔的应用开发前景。 氧化锌（ZnO ）是直接带隙宽禁带化合物半导体材料, 其禁带宽度为3. 37 eV, 在室 温下拥有60 meV 的激子束缚能, 具有高的热稳定性和卓越的光学性质。最近的研究发 现, 过渡金属掺杂的 ZnO 可减小本征载流子浓度并产生深能级, 例如 Mn 掺杂 ZnO,在 室温下高阻态阻值变大, 从而有助于增大RRAM 器件的开关比。ZnO 中进行Cu 掺杂不 仅可用于调控薄膜电阻, 并使其呈现 p 型导电, ZnO:Cu 还是典型的室温稀磁性半导体, 作为多功能材料在应用方面很有前景。据我们所知, 目前尚无ZnO:Cu 阻变活性材料的 报道。因此, 本文选用ZnO:Cu 薄膜作为阻变材料。 1. 本文采用纯度为99. 99%的ZnO 、纯度为99. 9%的CuO 和18. 2 M Ω的去离子水 与聚乙烯醇配置的稀粘合剂溶剂作为原料制作ZnO:CuO 陶瓷靶材。根据ZnO 、CuO 混 合 摩尔比分别为1 : 99, 5 : 95, 9 : 91, 用天平称取一定量的ZnO 、CuO 粉末, 经过多个步骤, 这样我制备了ZnO 、CuO 摩尔比为1:99,5:97,9:91 的ZnO: Cu 陶瓷靶材。 I 2. 采用脉冲激光沉积（PLD ）技术在Si、石英, 铂金衬底上沉积ZnO 及ZnO: Cu 薄膜, 并利用 X 射线衍射（XRD) 、光致发光(PL)、拉曼谱、X 射线光电子能谱（简称 XPS ）、原子力显微镜(AFM)等表征手段对制备出的样品进行表征。结果表明采用激光技 术制备出ZnO:Cu 薄膜结晶较好。为以后基于ZnO 及ZnO:Cu 的器件的制备和应用打下 了基础。 3. 利用脉冲激光技术利用脉冲激光沉积（PLD ）技术在FTO 导电玻璃和铂金衬底 上成功制备了ZnO: Cu 薄膜, 利用Keithley2400 对Au/ ZnO: Cu/ FTO 和Au/ ZnO: Cu/ Pt/Ti/SiO2/Si 三明治结构的电学特性进行了研究, 观测到明显的电阻开关效应的 I-V 特 征曲线。讨论了可能的导电机制 关键词:铜掺杂的氧化锌；光致发光；电阻开关；Au/ ZnO:Cu/ FTO ；氧空位；势垒 宽度 II ABSTRACT