co掺杂zo电子能级结构对其磁性的影响.pdfVIP

摘要 摘要 5％№掺杂的P型znO在高于室温仍具有铁磁性的理论预言激起了人们研究 作为具有高居里温度的稀磁半导体材料应用于自旋电子学领域使这一材料倍受关 注。但是来自不同研究小组的实验报导存在很大的矛盾。一些研究小组认为这个 材料是伴有一定反铁磁成份的顺磁材料，另一些小组却认为此材料具有铁磁性。 关于Co掺杂ZnO的理论研究也有大量的报导，由于计算所采用的近似不同，所 报导的结果也存在一些差异。稀磁半导体中铁磁形成机制至今仍没有清楚和一致 的解释。 和X射线磁园二色谱(XMCD)等多种表征技术被用于这类材料的研究，但在这 在的情况下材料对左旋和右旋圆偏振光的吸收差。由于sp．d相互作用引起基质带 劈裂增强，MCD信号在稀磁半导体基质的吸收边通常被增强。目前所用测量技术 无法直接提供局域在杂质上的载流子与过渡金属d电子间相互作用的信息，尽管 这些相互作用在铁磁序的形成中起很重要的作用。 在本论文中，我们首次将外场诱导表面光电压技术应用于Co掺杂ZnO中缺 陷与Co离子间相互作用的研究，并提出一新的机制来解释所观察到的磁现象。观 察到的新现象及主要结论包括以下方面： 增加而减小主要是价带随Co含量x的增加