SOI+MOSFET+抗辐射加固的常用方法与新结构.pdfVIP

下载本文档

13
0
约2.03万字
约 6页
2015-10-25 发布于安徽
举报
版权申诉

SOI+MOSFET+抗辐射加固的常用方法与新结构.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

SOI+MOSFET+抗辐射加固的常用方法与新结构.pdf

器件制选鸟鹰国 M翻溅k加f避mdAIMimimof蜘 SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构何玉娟，刘洁，恩云飞，罗宏伟，师谦 (电子凭器件可靠性物理及其成魍技术国家级重点实验室，广州510610) 摘要：SOI CMOS技术存在许多优势，但由于存在厚的埋氧展，其总荆量效应反而比体si嚣件更差，因此需进行总刘量抗辐射加固设馥。对几种SOIMOSFET的栅氧、埋氧和场氧总热量抗辐射加固的方法进行了对比较分析，指出了各自的优劣势，给虫7研究方向。并对FLEXFET和 G4．FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述，分析了其优越性。关建词：SOI；总蘩量效应；FLEXFET；∥．FET 中图分类号：TN386文献标识码：A Common and NovelSOIMOSFETDeviceStructures Technologies for TotalDoseRadiation Minimizing Damage He Jie，EnYunfei，Luo Yujuan，Liu Hongwei，ShiQian ElearonicProdaa (China Reliability and蜀蝴幻翮删Teeing融姻帮磅ln戚tute。 Re,earch and由啪Center，Q涮鳓渊510610，Ch／na) Abstract：SOICMOS has thickburiedoxidein∞l technologymanyadvantages，however，the substratesintroducesworsetotal itin Si ionizingdose(伽)da蝴thanbody shouldbedoneinSo|transistors and and msdeon80lne designs circuits．Analysis technologies comparison敷e forSOIMOSn汀devicestructures，theand a弛discussed。andtheresearchtrendis advantagesdisadvantages pointed ofFU￡XFETandG?一FETnewstructuresfor totaldoseradiation are out．Expound minimizing dalI嘲e the is introduced，and superiorityanalyzed． irradiation words：SOI；total．dose Ke