p型透明导氧化物cualolt;,2gt;薄膜的制备与性能研究.pdf

摘要 摘要 基于价带化学修饰(CMVB)理论首先被发现的cu+基P型透明导电氧化物 CuAl02薄膜具有独特的光电特性，它的成功开发为实现半导体全透明光电器件 如透明二极管、透明晶体管提供了可能性，也推动了传统意义上透明导电氧化物 (TCO)薄膜到透明氧化物半导体(TOS)薄膜的发展。然而，制备性能良好的 CuAl02薄膜一直是一个难题，到目前为止已经有许多方法被用来制备该薄膜， 但是所制备的薄膜结构与性能差异很大。针对目前国内外在CuAl02薄膜方面的 研究现状，结合溅射法所具有的众多优点特别是在工业化大规模生产中所具有的 优势地位，我们探索使用射频磁控溅射法在石英和si衬底上制备高质量P型 CuAl02薄膜，已经取得了一定的工作进展，归纳起来可以概括为以下几部分。 1．通过对溅射参数的调节成功抑制了Cu+的氧化，在石英和Si衬底上沉积 薄膜对可见光的透过率介于60％～70％之间，计算拟合得到直接和间接带隙分别 合半导体热激活机制。 品进行退火处理(氮气气氛保护900。C退火5h)成功获得了沿(001)晶面优先取向 生长薄膜，实现了电阻率三个数量级的降低。退火CuAl02薄膜对可见光透过率 在60％附近，红外光高于80％，拟合发现CuAl02薄膜具有四个不同能量范围的直 点的直接跃迁。研究发现金属Ag电极与退火CuAl02薄膜之间具有良好的欧姆接 触，最小接触电阻率为0．32Dcm2。该P型薄膜具有最小电阻率37Dcm，比未退火 薄膜下降了3个数量级。优先取向生长Cu：dfh薄膜在近室温区(190K)符合热激 活导电机制，低温区(185K)以二维变程跳跃导电模型为主。 3．鉴于富余氧原子在Cu：d02薄膜导电特性方面所起到的重要作用，不同 氧分压CuAl02薄膜被制备，发现富余氧原子在提供有利于薄膜p型导电环境的 兰州夫学理学博I。学1吐论文 和AFM等手段详细研究了不同氧分压CuAl02薄膜在经退火处理之后的结构和 微结构变化。发现20％氧分压CmAl02薄膜表现出了最佳的结构特性。由于富氧 原子处入CuAl02品格间隙位加剧了沿c轴方向负热膨胀行为而造成较大的内应 力，薄膜在释放内应力的同时导致薄膜表面出现一些微观空洞，而且随着氧分压 的增加微观空洞逐渐增多变大变深，最终在60％氧分压时致使薄膜成为非晶态。 4．实现了n型低阻si衬底上制备P型CuAl02薄膜而构成的突变异质结。在 0量I-V特性均显示线形变化的基础上，检测发现 Ag／Si／Ag和Ag／CuAl02／Ag p-CuAl02／n—Si异质结具有较好的整流特性，开启电压为0．5V左右。由于Si的载流 子浓度高／±ICuAl02 3~4个数量级，按照P．rl+单边突变结理论对该异质结进行了计 算拟合，发现界面态效应和串联电阻效应是影响该异质结整流特性的重要因素， 并且拟合得到串联电阻为13Q。 5．鉴于N元素在P型TCO薄膜中所起到的受主杂质作用，采用半导体掺 杂技术成功实现了对CuAl02薄膜的受主N掺杂。以N20气体为N源，按不同 Cu、AI原子比符合化学计量比，当N20流量比为15％时，薄膜中的N原子含量 膜的最小电阻率为100cm，最大载流子浓度为1016em-3，与未掺杂薄膜相比分别 降低和提高了一个数量级。掺杂CuAl02薄膜光学透明度基本上未发生变化，在 可见光范围内透过率介于60．70％之间，对近红外光透过率最高超过85％，而掺 杂样品的光学吸收边与未掺杂相比出现了蓝移，可能与掺杂产生空穴载流子造成 的Burstein．Moss效应有关。 关键词：P型透明导电氧化物；CuAl02薄膜；溅射法；薄膜结构；光学和电学 特性 II ABSTRACT Based the of‘thechemicalmodulationofthevalence upon theory band，，， was discoveredasa CuAl02firstly p-type transparentcon