sic薄膜低压化学气相外延生长及其微结构特性研究.pdf

摘要 SiC作为目前最热门的半导体材料之一，因其具有宽禁带、高击穿电场、高 载流子饱和漂移速率和高热导率等许多优点，在微电子领域有着广泛的应用前 景。本论文主要研究了在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上外延生长SiC薄膜 的工艺技术和生长条件对SiC薄膜结晶质量的影响，取得了有意义的结果，其内 容有助于加深对SiC薄膜外延生长过程的理解。 第一章综述了SiC材料的基本性质以及SiC材料和器件的研究进展。包括 SiC的结构性质、物理化学性质、SiC块材单晶的发展历史和制备方法、SiC器 件工艺和典型的SiC器件。最后还介绍了制备SiC薄膜的主要方法，如升华法、 脉冲激光沉积、分子束外延和化学气相沉积等，指出化学气相沉积法是制备SiC 薄膜最成功的方法。 第二章介绍了我们设计和研制的国内第一台最高温度可达1600。C的低压 (H2)，根据复相反应模型建立了SiC薄膜生长的气相反应和表面反应的两步机制， 分析了SiC薄膜生长的物理化学过程。 第三章中我们研究了不同取向的单晶si衬底上外延SiC薄膜。对Si(111)衬 oC．1350 底，发现随着生长温度(1150 oc)的提高，外延层的结晶质量改善。由样 oC一1270 品的SEM截面图可知在生长温度从1150 oC时，SiC薄膜的厚度由96 nin增加到134nln。继续升温到1350oC，SiC薄膜的厚度急剧降低到60nin。由 样品的SEM表面形貌图可推测在生长温度低于1350oC时，SiC薄膜以三维岛状 oC时，SiC 方式生长，岛状粒子随生长温度的提高而变大。当生长温度为1350 薄膜的表面光滑度变好，质量明显提高。说明在此温度下三维岛状粒子发生扩散 和互联，SiC薄膜的生长方式从三维变为二维。将SIC(111)摇摆曲线半高宽为20 的薄膜进行微结构表征，表明存在禁忌衍射和超晶格条纹。禁忌衍射及超晶格的 出现可能与薄膜中堆垛层错或孪晶的倒易点沿着【111]方向被拉长并容易和埃瓦 尔德球相交有关。对Si(100)衬底，发现SIC(200)面的摇摆曲线半高宽的数值随 着碳化温度的升高而降低，意味着SiC薄膜的结晶质量随着碳化温度的升高而增 加。通过拉曼散射峰位的移动来分析SiC薄膜中的应力，发现随着碳化温度的增 加，SiC薄膜中的张应力变小。随着碳化温度的提高，si衬底表面的si原子活 性增强，Si衬底与SiC薄膜界面处的jL洞形成几率增大，这些孔洞可以缓解薄膜 宽仅为O．70。对该薄膜进行微结构表征，透射屯子束沿着立方SiC薄膜的[11l】 入射。以六重对称性显示的六个斑点表示立方碳化硅的{220}晶面族。从相应的 高分辨像中可看出晶格条纹间距为0．154 nul，对应立方碳化硅的{220}晶面间距。 第四章探讨了C面蓝宝石衬底上SiC薄膜的外延。在没有AIN缓冲层的情 况下，通过对反应条件的控制，获得了6H．SiC和3C—SiC薄膜，它们的XRD摇 摆曲线半高宽分别为O．60和1．10。在低的SiH4流速和高的反应温度下，反应物 原子具有高的迁移率，宝石衬底表面ABCACB(6H—SiC)的堆垛次序易于形成。相 且SiC相图的理论预言，获得6H—SiC的生长温度要比3C．SiC高，也和我们的实 验结果相吻合。6H．SiC薄膜与3C．SiC薄膜的平均晶粒尺寸约150．200nm，它们 IllYl和8 的表面1TrlS粗糙度分别约2 n12q，可知6H—SiC薄膜比3C．SiC薄膜平坦， 这从SEM表面形貌图中也可看出。6H—SiC的XPS谱分析表明，位于100．3eV的 eV的Cls峰对应SiC中C元素 Si2p3／2对应SiC中Si元素的束缚能，位于282．6 的束缚能，表明在宝石衬底表面形成了SiC薄膜。 谱表明薄膜属于立方结构(3C—SiC)。研究了不同生长条件对薄膜厚度的影响。随 着硅烷流量的增加，碳化硅薄膜的厚度先增加后降低，表明发生了si．H化物气 相成核，形成的si团簇被载气带走，硅烷的利用率降低。仅改变丙烷流量，碳 化硅薄膜的厚度基本不变。