分子束外延长erlt;,2gt;olt;,3gt;高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备.pdfVIP

摘要 分子束外延生长Er203高k栅介质材料的物 理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备 系别：物堡堂丕 专业：狴塞查物理 作者： 匿圣 导师：盏量筮教授 摘 要 beam 分子束外延(Molecular epitaxy,MBE)是一种在超高真空条件下，使 分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜的技术。由于它能对薄 膜生长进行精确的控制，并且是一种远离平衡态的生长技术，因而它具有许多独 特的技术优势。我们使用分子束外延的技术，进行了外延氧化铒(Er203)高k 材料和硅(Si)基磁性半导体薄膜的生长。 稀土氧化物具有介电常数高、禁带宽度大，相对硅的能带偏移大的优点，外 延生长的Er203薄膜，可能是一种很有应用前景的栅介质。 我们在不同的氧气压及不同的衬底温度下，用在真空中蒸发金属铒源和通入 纳米级的相互垂直的长方晶粒。经过氧气氛下450℃的退火处理后，TEM照片显 示整个薄膜都具有非常良好的外延状况，薄膜与硅衬底之间没有明显的界面层生 检验在Si(001)衬底上外延的Er203薄膜的电学性质，我们对薄膜进行了c—V 和I—v的测试。通过C-V特性的测试，薄膜表现出14．4的介电常数和2．0nm的 等效氧化层厚度。对薄膜的I-V测试表明了薄膜的漏电流很小(积累端加lV偏 测试，我们发现外延Er203薄膜具有优秀的时间稳定性，在长期暴露大气后表面 形貌、结构和电学性质均未见退化。 摘要 由于高k材料的热稳定性对它们的实际应用很重要，我们对硅基外延的 ℃退火30分钟就会有硅酸盐生成。但在氧气氛下退火，温度直到600C都不会 有硅酸盐的生成。如果退火温度高到900℃，那么不论是在氮气氛还是氧气氛下， 底的反应。 鉴于硅基磁性半导体的重要应用前景，我们尝试着生长了Mn掺杂的si薄 膜和Fe掺杂的si薄膜，希望能够为在Fc．Si体系中实现磁性半导体积累一些经 到了铁磁性。通过导纳谱的测试，我们得知Fc在Si中掺杂能级的激活能为 26meV。通过在不同生长条件下的Fc．si薄膜的生长实验，我们发现当使用0．2A／s 的si生长速率，150℃或200℃的衬底温度时，可以得到表面平整的样品。 关键词： 高k材料，磁性半导体，分子束外延，三氧化二铒 分类号：0469，0484．1，0484．4+2 Abstract beam an Molecular epitaxy(MBE)is technique for structureswith producinghighqualityepitaxial film hasalotof becauseit controlsofthe uniqueadvantages suppliesprecise growth andconditionsfarfmm have Er203 processes equilibrium．Wegrowncrystalline thinfilmsandSi-based semiconductorfilmsMBE． high—k magnetic by Rare have dielectric band earth(I固oxides constant