半金属铁磁的电子结构和磁性研究.pdfVIP

摘 要 传统的电子元件 比如二极管和三极管 它们的信息载体都是电子电荷 电子的 自旋没有被利用 近些年来 半导体自旋电子学(spintronics) 的研究表明 稀磁半导 体(DMS)能够同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的处理和存储 但目前的关键问 题是自旋极化电子注入到半导体材料中的效率很低 这就需要寻找高自旋极化度的 磁性材料 半金属(half-metallic)铁磁体有着较高的居里温度和接近100%的高自旋极化 率 因此 它无疑将会成为理想的半导体自旋电子注入源 随着科学技术的发展 计算机的性能得到了极大的提高 使得通过计算机模拟 设计新型功能材料成为可能 本文的目的是借助计算机模拟预测新的半金属铁磁体 我们的工作是利用基于密度泛函理论(DFT) 的平面波赝势方法(PWPP)系统地对二元 化合物CrS和CrP及闪锌矿(zincblende)相半导体CdTe掺杂过渡金属(V Cr及Mn等) 的 电子结构和磁性进行研究 对于二元化合物CrS 我们的计算发现zincblende 相的CrS 的自旋向上 (majority-spin)的电子的能带是金属性的 而自旋向下(minority-spin) 电子的能带在费 米(Fermi)面附近有一个明显的能隙(Energy gap) 这个特性在原胞的晶格常数变化的 -3%-20%范围内保持不变 并且 一个CrS分子的磁矩是4.000 µB 所以 我们从理 论上预言了zincblende相的CrS是一个比较稳定的半金属铁磁体 而CrP的计算表明 zincblende相的CrP 虽然也具有半金属铁磁性 但其半金属铁磁性在晶格常数变小时 就消失了 所以 zincblende相的CrP 只能算得上一个准半金属铁磁体 Zincblende相半导体CdTe掺杂过渡金属V Cr Mn Fe Co Ni等的电子结构 和磁性的计算表明 只有Cd0.5V0.5Te和Cd0.5Cr0.5Te具有半金属铁磁性 每个原胞的磁 矩分别为3.000µ 和4.000µ 它们的半金属铁磁性主要由d-d交换作用和p-d杂化作用 B B 决定 关键词 自旋电子学 半金属铁磁体 半导体 平面波赝势方法 电子结构 I Abstract The information carrier of traditional electronic components such as diode and audion, is electronic charge, but the electronic spin is not considered. In recent years, studies on the semiconductor spintronics indicate that the diluted magnetic semiconductors can be used to manage and store information by means of the electronic charge and spin. However, nowadays, the key to semiconductor spintronics is that the efficiency of spin-polarized electrons injected into semiconductors is very low, one needs to find some magnetic materials with high spin-polarization. Half-metallic ferromagnet has a higher Curie temperatu