多孔硅的发性能研究.pdfVIP

摘要 单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度Eg=lleV，作为发光器 件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年，英国科学家Canham首 次观察到室温。F多孔硅强的可见光光致发光，并用量子限域效应进行了解 释，使多孔硅迅速成为世界范围内的研究热潮。经过十几年的研究，多孔硅 的制各和性能研究都有了很大进展，但仍然有许多重要问题没有解决，如光 致发光效率极低，发光寿命很短等。本文主要通过研究Zn2+的扩散、锡的溅 射及聚苯胺(PANI)的嵌入等对多孔硅的光致发光性能的影响来找到增强多 孔硅的光致发光强度的方法。 论文用快扩散方式把Zn+掺入到单晶硅中，再用阳极电化学腐蚀方法把 样品腐蚀成多孔硅。利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性，结果 表明扩散有zn”的多孔硅的光致发光谱，峰位几乎没有改变，但强度明显增 强，谱峰有所展宽。并分别利用扫描电镜和傅里叶变换红外光谱仪研究了多 孔硅薄膜的表面形态和样品的红外吸收光谱， 论文通过对溅射锡前后多孔硅的扫描电镜(SEM)、光致发光谱(PL)和傅 立叶变换红外吸收谱(FTIR)的测量和分析，讨论了锡的溅射对多孔硅光致发 光的影响。结果表明．锡的溅射，并没有使多孔硅在长波长处的光致发光 峰的位置及宽度有太大改变，但是使其光致发光强度明显淬灭；同时使多孔 硅在短波长处的光致发光强度先增强后减弱。 论文利用多孔硅独特的微孔结构，巨大的比表面积(可达600m2／m3)． 很强的吸附能力和灵敏的表面光学性质等特点，将有机物聚苯胺(PANI)镶 嵌其中，研究了复合膜的光学性质。试验结果表明，聚苯胺(PANI)的嵌入， 使多孔硅的光致发光强度有所增强，但是并不改变多孔硅的光致发光峰位及 峰宽。 关键词：多孔硅光致发光 ABSTRACT The Siisanundirectedbandsemiconductorand singlecrystal gap its isl_1lev．Astheluminescentmaterialatthe energygap in field Siis1imited． applicationphotoelectricsinglecrystal Since1990intensevisible of siliconwas photoluminescenceporous foundthe scientistCanhamforthefirsttimeand by English explained by confinement siliconhavebeenattracted quantum efect，porous many scientistsattentionintheworld．Butaftera are decade，theremany ● thosestillexist aslow importantproblems now，such efficiencies， of isdividedintofive strongdegradationlightemitting．Thispaper ordertofindthemethodsof the of parts．In increasingintensity