大直径铌酸晶片化学机械抛光研究.pdfVIP

摘要 摘要 铌酸锂晶体由于其优良的铁电、压电、电光、非线性光学性能而用途广 泛。随着器件的发展，对材料的内在质量及加工要求也越来越高，传统铌酸锂 晶体的抛光主要是以金刚石研磨膏为磨料的机械抛光方法，这种抛光方法由于 磨料硬及分散不均匀等原因造成晶片抛光后存在大量的划伤、抛光雾等表面质 量问题，从而限制了铌酸锂晶体的应用。研究如何取得高质量的抛光表面是摆 在人们面前的重要课题。化学机械抛光方法在半导体行业发展迅速，并且可以 取得全局平面化。为此我们利用化学机械抛光方法对铌酸锂晶片抛光进行了研 究，并主要取得如下结果： 1)对大直径铌酸锂晶片进行了有蜡粘接工艺实验，通过改变工艺参数，得 到了粘接均匀无气泡的3英寸铌酸锂粘接晶片。 2)建立了修正环型抛光系统中铌酸锂晶片化学机械抛光的基本模型。 3)对铌酸锂晶片抛光的化学抛光液进行了研究。通过改变配方，制取了适 合于大直径铌酸锂晶片的抛光液。实验表明，抛光速率适中，效果较 好。 4) 优化了化学机械抛光系统的工艺参数，对3英寸铌酸锂晶片进行了抛