第一性原理究半导体绝对形变势及其在能带偏移中的应用.pdf

内容摘要 半导体的绝对形变势是描述材料某一能级位置，比如价带顶和导 带底)相对于体积形变的关系，这是描述半导体中电声相互作用的一 个重要参数，也是经验赝势方法中为了使赝势有更好的平移性而经常 采用的一个参数。关于半导体绝对形变势的研究在国际上一直存在争 论。主要是在第一性原理计算中找不到一种合适的和体积形变无关的 参考能级。因为第一性原理计算在解泊松方程的时候势函数有个常数 项的不确定性，这导致计算得到的体系中的所有能级的绝对位置和总 钱都是不确定的，这样不同形变的体系就不能直接比较它们之间的能 级差，因此就不能直接得到半导体中某个能级的绝对形变势的值。过 去很多作者采用不同的模型算出来的价带顶的值相差很大，有些人算 出来的结果是正的，有些人算出来的结果是负的，这个问题一直没有 解决。 我们采取求一个沿某一方向的两端具有不同形变的超原胞中某一 芯能级的形变势的方法，间接得到沿某个方向的价带顶的绝对形变势； rmoni 然后我们通过Ha c函数展开的方法，得到一个与角度无关的量， 我们定义它为流体静力学下的绝对形变势的值。我们首先研究不同截 断对结果的影响，发现只要取比较低的截断就能收敛到很好的结果。 然后我们发现，计算得到的绝对形变势的值和参考能级的选择无关， 这说明我们的模型是自洽的，同时也说明绝对形变势是一个很好的体 的参数。我们选择了三个典型的体系，非极性的si和极性的GaAs以 及ZnSe。我们计算的价带顶的绝对形变势都是正的，并和材料的离子 性以及p-d杂化有关系。一般离子性越强，绝对形变势值越小，而且 p-d杂化对价带顶的绝对形变势一般有负的作用，由于zn有个浅的d 电子，这样ZnSe中的p-d杂化作用就比较强，导致ZnSe价带顶的绝 对形变势的值要小很多。我们这部分的工作发表在APL上。 我们进一步计算了所有的IV，Il卜V和If—VI族半导体的绝对形变 势。并研究它们的化学趋势。我们发现所有的半导体的价带顶的绝对 形变势都是正的，导带底的绝对形变势都是负的，这和紧束缚近似下 的结论一致。我们根据原子轨道能级，并结合紧束缚近似，分析了它 们的化学趋势。我们发现价带顶的绝对形变势值和原子问的键长，阴 阳离子之间的轨道能级差有关系。比如对于非极性的IV族半导体的导 带底的绝对形变势的值随着键长的增加而逐渐减小：其它对于II卜V 和|I—vl族化合物半导体则和键长以及阴阳离子原子轨道能级差有关。 这篇文章发表在PRB上。 对于晶格不匹配的两个体系的能带偏移值，不同的实验条 件下溺i量的值各不相同，这主要和晶格的应变有关。因此不同作者测 量的值就没法直接比较，也无法分析它们的化学趋势。’最近，我们结 合前面计算的半导体的绝对形变势的值，计算了所有的IV，；lI卜V族 和II—vl族半导体在平衡体积下的能带偏移值。我们发现它们满足很 好的传递性规则，问时也说明半导体的绝对形变势是一个很好的体性 质。‘这样我们就根据计算得到的能带偏移的值，得到了一张所有半导 体的价带顶的相对位置的标定圈，我们分析了它们的规律和化学趋势。 这部分的计算工作已经基本完成，正在整理成文。 关键词：形变势，能带偏移，半导体； 中图分类号：0471．5 Abstract Inourfirst calculatedthedeformationof work，we Si， potential ZnSe．The absolute GaAs，and hydrostaticdeformation the valenceband isoneofthemost maximum(VBM)stateimportant of hasbeencalculatedinthe propertiessemiconductors．Yet，it pastonly thathave