微波ecrvd制备a-cfh薄膜的结构与性能研究.pdfVIP

ECRCVD制备a．■F．f{薄膜的结掏’j性能州究 摘要 摘 要 超大规模集成电路特征线宽的下降导致了信号传输延迟、功率耗散的增加，解决的办法 是使用低电阻率的金属线和低介电常数(低k)层间绝缘材料来代替当前集成电路使用的 AI／Si02结构。a．C：F：H具有低的介电常数，它是层问介电体的侯选材料之一。我们率先在国 内使用了微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRCVD)方法制各了低k氟化非晶碳 薄膜，并对其结构和性质进行了系统的研究工作。 论文的研究内容主要分两部分：第一部分主要叙述了在含氟ECR等离子体气氛中基片表 面刻蚀以及薄膜沉积机制和过程，探索了在射频偏压作用下，基片的刻蚀选择性等情况。第 二部分是本文的重点，叙述了采用微波ECRCVD系统制备a—C：F：H薄膜．并研究该薄膜的 结构、热稳定性、电学特性的研究结果。 ，第一部分： 、 采用CF4、H：和Ar作为源气体，研究了气压、微波输入功率、流量比以及射频偏压对 基片(Si和Si02)表面刻蚀的影响。结果表明基片的刻蚀速率随着气压的降低、微波输入功 率和射频功率的升高而上升，但对Si02，si的刻蚀选择性比较低，在我们的实验条件下，最高 只有4。其主要原因为ECR等离子体对气体分子的离化率较高，等离子体气氛中含有较高的 压，基片表面仍存在一定程度的刻蚀，尽管基片上沉积有一定厚度的a．C：F：H薄膜。结果分 析表明基片表面的刻蚀主要是在ECR等离子体放电初期形成的． 第二部分： 采用ECRCVD装置制备了具有低介电常数的a-C：F：H薄膜，源气体采用三种体系： 比、沉积气压、微波功率、基片位置等)对所沉积的a．C：F：H薄膜结构与性能的影响。发现 在上述三种源气体体系中，随着CHF3流量比率的增加，叠-C：F：H薄膜均存在C—F键结构上 的演变，并最终演变成主要由．CF2结构单体组成的类似于聚四氟乙烯(类PTFE)的结构。 在后两种源气体体系中，所沉积的薄膜具有较多的C=C双键结构，其与薄膜中的C．F键 一起影响着薄膜的光学带隙。实验中还发现，源气体较高的碳氟原子比、较低的沉积气压和 较高的微波输入功率有助于a．C：F：H薄膜交联结构的增强，因而有利于改善薄膜的热稳定性。 结合工艺参量对a-C：F：H薄膜沉积的影响，提出了一个薄膜生长的动力学模型。 a—C：F：H薄膜除了有较低的介电常数(s3)外，其热稳定温度还需要达到平砸工艺的 温度要求(400。C)。为此，我们进行了氮气气氛中a．C：F：H薄膜热退火的研究。所制备的具 有不同键结构的a-C：F：H薄膜的热退火结果表明，薄膜中存在H、少量或过量的F都很容易 摘曩 ECRCVD制鲁a．C：F：H的结构‘j性能研究 导致薄膜结构以及厚度的变化。使用所提出的热解模型解释了CHF3／CH4所制备的a-C：F：H 薄膜在退火前后的厚度变化。CHF3／C6H6所制备的a．C：F：H薄膜的热退火研究结果表明，我 们已经制各出了室温下沉积介电常数小于3、热稳定性好于400。C的a—C：F：H薄膜。 由于基片表面在a—C：F：H薄膜沉积初期存在刻蚀，因此，我们提出了先在基片表面沉积 a．c膜，然后依次沉积a—C：F：H和另一层a—c膜，组成一个三明治结构的多层膜，来阻止基 片表面的刻蚀，其中a—C膜使用磁控溅射方法制备，a．C：F：H膜使用ECRCVD法制备。对 所制备的多层膜的介电和电学性能研究表明，多层膜的介电常数仍小于3，多层膜呈现弱P 型半导体特征，体内存在一定的缺陷定域态，这些缺陷态密度的差异是薄膜的电容一电压(C-V) 1 曲线产生漂移的主要原因。，o 关键词：微波电子回旋共振等离子匆如学气相沉积，。．c：F：H薄膜，刻蚀选择性 介电常数，热稳定性，多层膜 摘要 ECRCVD制荷a．【f?H薄膜的结构与住能研充 Abstract in Scale circuit