低维量子结的制备及电学性质研究.pdfVIP

F a b r iC a tio n a lld N a ll0 SC a le E le C tr iC a l P r 0 P e r tie s o f L o w D im e n sio n a l N a ll0 Str u C tu f e S B y S h ih u a Z h a o SuP erv isor:P rof.X inju Ya ng D eP artm en t o f P h y sic s，F u d an U n iv ersity S h an g h a i 2 0 0 4 3 3 ，P e oP le ’5 Re P u b lie o f C h in a 2 0 10 一10 一2 6 摘要 硅 衬 底 上 自组 织 生 长 的锗 硅 量 子 点 (G es iQ D s) 在 光 电子 、微 电子 和 单 电子 器 件领域 有着重 要 的应 用前 景 。G esi 量子 点 的 电学性 质 研 究不仅仅 在 基 础研 究 中有 着 重 要 的意 义 ，其 对器 件 性 能 的影 响使得 在 工业 上 也 广 泛 受 到 关注 。其 电学 性 质 受各种 各样 因素 的影 响 ，这 些 因素 即包括 量 子 点本 身 的组 分 分布 、应 力 分布 、 几 何 结构 等 等 ，也包括 外 界测 试 时 附加 的偏 压 、接 触 压 力 等 因素 的影 响 。本 文采 用 导 电原子 力显微 镜 (C A 卫M ) 对 自组 织 生长 的 G es i 单 量 子 点 的 电流 分 布进 行 测 试 ，研 究 了偏压和 接 触 压 力对 其 电流 分 布 的影 响 ，并 结合 静 电力 显微 镜 (E FM ) 和 扫描 开 尔文 显微 镜 (S K M ) 的结果 ，对 其 导 电机 制 进 行 了探 讨 。 为 了进 一步 弄清 G esi 量 子 点 的 电学特 性 对 形貌 、组 分 分布 等依赖 关 系 ，我 们 利 用纳 米 小球模 板加 反应 离 子 束刻蚀 的方 法 ，制 备 了纯硅 量 子 点 。利 用 C A F M 、 E FM 、SK M 对纯硅 量子 点 的 电学性质进 行研 究 ，并与 G es i量子 点 的结果进 行 比 较 。 石 墨烯 ， 自首 次成 功制 备 以来 ，就备受关注 ，但研 究通 常都着 眼在石 墨单层 的横 向输 运 上 ，不 同层 数 的石 墨 薄层 的 电学 性 质 变 化 往 往 被 忽 略 ，我 们 成 功运 用 了为人们 所 熟知 的物理 剥 离 法 ，在 30 0lun 厚 的氧 化硅 表 面 自行 制 备 了石 墨单 层 和石 墨 多层 样 品 ，并用 扫 描 电容 显微 镜 (S C M )，E FM ，SK 州 等 手 段 对 不 同厚度 的进 行 了 电学性质 的分析 和 比较 。 得 到 的主要 结 果包 括 以下 几 点 : 1. 通 过 C A FM 对 单 个 圆顶 型锗 硅 量 子 点 的导 电分 布 测 试 的结 果 显 示 其 电流 分 布 为一环 形 ，即衬底 不 导 电，量 子 点 的腰 部 导 电性 明显 好 于 中心 。不 同偏 压 的 测 试 表 明 ，其 腰 部 的 电流 值 与 偏 压 有 明显 的正 相 关 ，而 中心 随 电压 变 化 不 大 ，这 一现 象在 尺 寸稍 大 的量 子 点 中 比尺 寸稍 小 的更 为 明显 。不 同作用 力 下 的 电流 分 布 显 示 了量 子 点导 电性 随接 触 压 力 的变 大 而 变 好 对 于任 何 尺 寸 的量 子 点都 适 用 。 E FM 和 SK M 结果 也 从 另外 的方 面证 实 了大 点 的导 电性优 于 小 点 的结果 。对 其 机 理 的深 入 探 讨 正在 进 行 中