ZnO薄膜的生长特性及其掺杂的研究.pdf

摘要 摘要 近年来，ZnO材料以其在短波长发光器件、压电传感器、透明导电极、太阳 能电池以及表面声波器件等领域的广泛应用，吸引着人们越来越多的关注。Zn0 具有3．37eV的禁带宽度，与同为宽禁带半导体的GaN相比，ZnO具有更高的激 子束缚能、更好的稳定性以及更低廉的制备成本，这些优势使得最近10年来对 ZnO的研究日益升温。 同时，我们也注意到当前制约ZnO发展的一个难题，那就是稳定的可重复的 p型ZnO的制备。尽管最近几年人们在ZnO的p型掺杂方面取得了很多进展， 但是距离实际应用尚有一定的差距。同时，对于未掺杂ZnO的理论研究，包括 生长条件、缺陷类型以及发光机理等问题还缺乏足够深入的探索。基于上述背景， 本论文围绕着材料生长、结构形貌、光电特性以及p型掺杂等方面，开展了一系 列工作，具体可分为如下几个方面： 1．在磁控溅射设备上制备了高取向的ZnO薄膜，研究了衬底温度、生长气 氛和溅射功率等参数对薄膜结构和形貌的影响，在优化的生长条件下实现了Si 基Zn0薄膜的高质量生长；利用变温PL光谱，详细分析了未掺杂ZnO薄膜在 低温下的光致发光特性，确认了各发光峰的来源；计算的结果表明，低温下占主