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强磁场条件下两种垒D～心的多电子效应 邢雁 指导教师：王旭教授 (内蒙古大学物理学系，呼和浩特，010021) 摘要：本文采用MacDonld的对角化法研究了强磁场条件下两种 动量量子数L=0的单重态和L=一1，一2的三重态在距离{值的一定 区域内是束缚态，其束缚能随着毒值的增大单调减小；而研一巴,(spatial 值的增大存在一极大值。两种垒D一心的本征能量都随朗道能级填 充因子u作周期性振荡，且温度的降低加剧了这种振荡；当填充 因子u为偶数时，其本征能量的绝对值最大，此时电子气对库仑 势的屏蔽效应最弱。 关键词：垒D一·tl,强磁场束缚能多电子效应 内蒙古人学顾I：学位论义 一、引言 半导体材料作为材料科学的一个分支，有着极为广阔的应用前景。 实际应用的半导体材料往往含有若干杂质，杂质的引入，改变了半导体 材料的很多物理性能，特别是对半导体器件的质量有着重要的影响。当 代半导体技术的发展，在相当程度上决定于半导体中杂质控制技术的发 展。因此，对杂质念的研究就显得尤为重要。 早在1956年，YafetllJ等人就利用变分法对磁场中中性施主Do(即 一个『F施主离子束缚一个电子构成的稳定电子念)的性质进行了研究。 H一的电子态，即中性施主Do可以再束缚一个自由电子构成较稳定的负 离子中心，称之为D一心。随后的许多实验为D一心的存在提供了有利的 证据。例如在极低温条件下，利用远红外实验在Si和Ge中发现了D一心J， 在III—V族元素的复合半导体中也发现了D一心川。在实验上D一心是决定 半导体材料光学和电学性质的一个重要因素，特别是对于掺杂半导体吸 收和发光光谱的研究方面有着重要的作用，因而它一直吸引着广大理论 和实验工作者的关注。D一心是电子系统中最简单的多体现象，其性质依 赖于电子的关联性及正施主离子与束缚电子之间的作用，对其研究为研 究和理解多体现象提供了最基础的课题。由于强磁场条件下二维和准二 维的D一心更适合于研究电子之间的关联性，因此近年来，实验工作 者[8-13J和理论工作者I”-27J对二维和准二维D一一tL,进行了大量的研究，得 到了一些重要的结论。在零磁场时，二维D一心只有一个束缚态，Phelps 的三维D一心束缚能0．0555R。的八倍多。在强磁场极限，二维D一心的束 s,19 缚念增加为四个llJ，即一个L=0的单承念和￡分别为一1，一2，一3的三个 堂堂塑墨丝!堕壁竺旦：：生盟童!垫E塑坐 的束缚能。1990年Huant等人18j首次在掺杂多层量子阱中发现了D一心， J更易得到稳定的D一 研究表明在掺杂多层量子阱中¨2I比在体半导体中№7 心，因此量子阱中的D一心引起了许多学者的极大兴趣(16,17,20-27l。Pang和 Louie{16l利用MonteCarlo方法计算了有效磁场强度y=0，1，3时量子阱中 D一心的基态束缚能，与实验符合得很好。Muller等人117j采用 Chandrasekhar型试探波函数，用变分法讨论了量子阱中D～心激发态的 束缚能。王旭和郑瑞生127j利用变分法计算了量子阱中D一心基态和激发念 的束缚能，并讨论了强磁场条件下阱宽对D一心束缚能的影响。 近来，与杂质中心相关的多电子效应的研究为许多学者所关注{28-ssJ。 对于零磁场条件下的二维Do心，几种线性屏蔽模型的计算结果表明其束 缚能随电子浓度的增加而迅速减小{30-nj，而Gudmundsson川的研究表明， J利 加有磁场后D。心的束缚能随朗道能级填充因子而振荡。后来，王旭m 用对角化法研究了强磁场条件下二维D一心的多电子效应，发现其能量随 朗道能级填充因子作周期性振荡，当朗道能级填充因子为整数时，电子 气对库仑势的屏蔽作用最弱。这一理论结果与Cheng等人∞∞l的实验结 果在定性上取得了一致。 随着研究的进一步深入，Fox和Larsen…提出了垒D一心的模型，即 受正离子束缚的两个电子位于z—y平面，而正离子位于距z—y平面为孝 的z轴上，并且利用精确求解得到了强磁场极限垒D一心的八个束缚