极紫外投影刻中若干关键技术研究.pdf

致 谢 本文有关的全部学习、研究工作都是在导师曹健林研究员的亲切 关怀、悉心指导下完成的。 陈星旦院士对本文的研究工作提出了许多宝贵的建议，马月英高 级工程师在多层膜制备工作中给予了诸多帮助，裴舒工程师为本文的 研究承担了大量的测试工作，日本东北大学的柳源美广教授为本文研 究进行了多层膜反射率的测试，日本姬路工业大学的木下博雄教授提 供了实验所需的抗蚀荆，中科院微电子中心的叶甜春研究员提供了曝 光复制实验的透射掩模。 笔者愿借此机会，对导师曹健林研究员、陈星旦院士、马月英女 士、裴舒等的关怀、指导和帮助一并表示衷心的感谢。 国家自然科学基金委员会、应用光学国家重点实验室及其依托单 位长春光机所为本文的研究工作提供了经费支持，没有它们的支持， 本文研究工作的进行是不可想象的。 最后，笔者要特别感谢妻子许春红，感谢她的理解和支持，使作 者能够有更多的时问投入到本文的研究工作中。 摘 要 L-ExtremeUltraviolet 极紫外投影光刻(EUV Lithography)技术作为下一代 光刻技术中最佳候选技术，建立于可见／紫外光学光刻的诸多关键单元技术基础 之上，工作波长为11～14rim，适用于制造特征尺寸为65～35nm的数代超大规 模集成电路，预计在2006年将成为主流光刻技术。 应用光学国家重点实验室自上世纪90年代初起一直关注着国际上的EUVL 研究进展。出于进行EUVL原理及相关技术研究的目的，笔者采用微缩投影的 计算机辅助装调技术研制了国内第一套由激光等离子体光源、掠入射椭球激光 镜、透射掩模、微缩投影物镜及相应真空系统组成的EUVL原理装置。 EUVL微缩投影物镜为了同时实现大的曝光视场和O．1um以下的成像分辨 率，微缩投影光学系统需采用面形精度达亚纳米量级的非球面，但我们现阶段的 光学加工和检测技术距此要求尚有一定的差距。作为研究的第一步，出于进行 EUVL原理及系统设计、光学元件的制备、系统集成、掩模曝光实验等相关技术 研究目的，采用球面Schwarzsehild微缩投影物镜是比较切实可行的技术方案。 EUVL原理装置的徽缩投影物镜。经优化设计后，O．1mm像方视场内的成像分辨 率优于0．1u 膜的实测反射率为45％。 度表明，对可见光工作波段己具有足够高的面形精度，均为5rim(rms)，但在 EUV(Extreme 波面误差。为此，在采用光学系统的计算机辅助装调技术进行Schwarzschild微 缩投影物镜的光学装调时，笔者首次引入主、次镜的实测面形误差，利用ZAMEX 光学设计软件模拟了理想装调下的波面误差，并用以计算物镜的失调量，将失调 量引起的波面误差与主、次镜面形误差引起波面误差分离，使失调量的计算更加 准确、装调过程更快收敛。计算机辅助装调后的Schwarzschild微缩投影物镜波 面误差为18nm(rms)，与模拟的结果相符。 Zeon Co．Ltd)正性 在集成后的EUVL原理装置上，采用ZEP520(Nippon 抗蚀剂及掩模调焦方案，初步进行了透射掩模的曝光复制实验，国内首次获得了 O．75um线宽的EUVL复制图形，完成了EUVL的原理性贯通。目前，利用更细 线宽透射掩模的曝光复制实验正在进行中，以获得最小的复制线宽及 Schwarzschild微缩投影物镜的最佳焦面。 极紫外投影光刻系统中，多层膜反射元件的非镜面散射将严重影响系统的 捅璺 EUV传输效率和成像对比度。根据多层膜结构生长的理论模型，多层膜每一界 面的粗糙度由两部分构成。一是薄膜沉积过程中固有的粗糙度；二是继承下一层 界面的粗糙度。在空间频率小于20“m。1的区间内，各界面的粗糙度具有良好的 相关性，是多层膜基底粗糙度的再现，多层膜的沉积不会改变此空间频率内的粗 糙度。因此，我们可以通过检测多层膜反射镜基底的粗糙度来表征多层膜反射镜 非镜面散射对光学系统性能的影响，亦即通