稀磁性半导colt;,xgt;tilt;,1-xgt;olt;,2gt;的制备、微结构和磁性的研究.pdfVIP

摘要 摘要 由于自旋相关现象的发现及其许多极具潜力的实用性，自旋电子学的研究 在全世界得到了广泛开展。其中磁性半导体被认为是下一世代利用电子的自旋 自由度制造微电子元件的主要材料，有很好的应用前景。磁性半导体通常是将 磁性元素注入II．Ⅵ族或Ⅲ．V族的半导体中，形成稀释磁性半导体(Diluted Magnetic 半导体n02而形成的稀释磁性半导体具有室温铁磁性(Te400K)，有望获得应 用，但对铁磁性的起源尚有很大争议：一种观点认为C02+替代了锐钛矿Ti02中 面离子的位置，铁磁性来源于Co离子通过空穴导致的电荷载流子产生的交换 耦合，另一种观点认为是Co在材料中形成了Co团簇．导致铁磁性。因此深入 研究此材料的微结构，即co离子是替代了锐钛矿Ti02中噩4十的位置还是形成 了Co团簇，对澄清铁磁性来源至关重要。到目前为止，此材料的制备多采用激 光脉冲沉积法制各的薄膜，采用其它方法的较少。本论文采用脉冲激光沉积和 溶胶-凝胶法成功地制备了Co。fiI-x02薄膜和粉末样品。利用自旋回波核磁共振 谱仪(NMR)、X射线光电子谱(xPSkX射线衍射(Ⅺ∞)、振动样品磁强计 ：= 膜和粉末样品的微结构和磁性，得到的主要结果如下： 1．溶胶磺胶法制各的粉末样品 了前驱物烧结条件(温度、时间、氧分压)对粉末的微结构和磁性的影响。 结果表明： 1．1Co。Til一。02粉末样品的晶体结构对烧结温度具有明显的依赖关系。随烧结 温度的升高，晶粒逐渐增大。CoxTiI。02前驱物在烧结温度为3200c时开 始结晶，锐钛矿出现．在4500c以下烧结为纯锐钛矿相结构，500oC以上 开始出现金红石相。而在相同的烧结温度下，烧结时间对样品晶粒尺寸和 结构有很大的影响。烧结时间越长晶粒尺寸越大，金红石相越多。 1．2制各中氧气压对室温铁磁性有很大的影响，理论研究表明由氧缺陷导致的 Abstract 载流子是铁磁相互作用的媒介。随着烧结过程中氧气压的降低，样品磁矩 逐渐增大。在空气中烧结的样品，室温有明显的铁磁性，但磁性较弱，磁 3Pa中烧结时，得到的样品的磁矩达到1．18∥。／Co。 1．3第一次用核磁共振研究了CoaTiI-x02的微结构，结果表明：前驱物在真空中 直接烧结的样品室温铁磁性较强，主要是由于单质Co微粒的贡献，而不是 磁性半导体的内禀性质。而在空气和氧气中烧结的样品的室温铁磁性虽然 较弱，但不是主要来源于Co微粒，而是CoxTil．x02样品的内禀性质。这对 澄清铁磁性起源方面的争论有较大价值。 2．溶胶壤胶法制备的Co。Til-x02薄膜样品 CoaTil-x02(x=O．01-0．06)的薄膜样品。 2．1 和激光脉冲沉积生长相同的沿C轴取向的锐钛矿(004)结构的C《nI．x02 薄膜样品。SQUID测量结果表明，样品有很好的室温铁磁性。 i ． 构的cofnl．x02薄膜样品。磁测量结果表明：样品有很好的室温铁磁性。 2．3核磁共振的研究表明：溶胶．凝胶法制各的Coxljfox02薄膜样品，在仪器的 灵敏度范围内，没有观察到Co单质微粒的峰，说明所制备的样品中．室温 铁磁性不是主要来源于Co微粒，而是CoaTil．。02薄膜样品的内禀性质。 3．脉冲激光沉积法制备的Co。TiI-xO：薄膜样品 在选择了合适的氧气压、脉冲频率和沉积温度后，主要比较了在有氧气氛 和无氧气氛下降温制各样品的不同。结果表明： 3．1在有氧气氛下降温的样品，和无氧气氛下降温的样品，其结构相同，都有 室温铁磁性，但磁矩不同。在无氧气氛下降温制各的样品比在有氧气氛下 降温的样品的磁矩大。 3．2电性测量表明，掺Co和未掺Co的纯Ti02样品的导电机制相同。在低温 摘要 符合丁-‘“规律，为局域态漂移电导：在高温，为热激活的传导机制。