纳米全硅基电子有光子材料--多孔硅及其微腔的特性研究.pdfVIP

摘 要 纳米全硅基光电子及光子材料一多孔硅 及其微腔的特性研究 物理 系 凝聚态物理专业 学生姓名熊祖洪 导师姓名侯晓远 导师职称教授 本论文主要包括以下四方面关于多孔硅及其微腔的研究工作： 、(一)I酋毖磐希疲新封事方膳和嘉基覃群毒劈豌茜幼断究多孔硅徽腔的发光 特性与傲腔结构参数和中心层发光峰两者的关系，为本文的主要工作～多 孔硅徽腔的实验设计与结莱讨论提供了可靠依据． ， ／先用有效折射率法来计算微腔中心层两边的等效折射率，这样就把微腔的 、 多层膜结构简化为单层膜结构，只是该单层膜两边的介质为等效介质；然后再 根据菲涅耳公式计算微腔上表面的出射谱。得到了如下结论：(1)多层多孔硅成 中心发光层的光学厚度决定：(3)影响共振峰峰型、半宽和强度的有Bragg反射 镜的周期数和Bragg反射镜高低折射率的对比度；(4)增加反射镜高低折射率的 对比度或变Bragg反射镜的几何周期性结构为非周期性结构可虬展宽Brugg反 射镜的高反射区，从而有可能使微腔的发射峰只出现共振峰，使微腔发射颜色 、 更纯的光。J (二) l茬留赢亡葶煳脉冲电化学腐蚀取代常规直流腐蚀来制备第1型多孔硅 徽腔，获得了层结构平整和光发射褥蓟改进的多孔硅徽腔． 1多孔硅单层膜的扫描电镜(SEU)平面视图显示；脉冲方法腐蚀的多孔硅薄膜 j 要比用常规直流腐蚀法得到的多孔硅更均匀和平整；利用脉冲腐蚀法还可得到 Ph叶onEd-ld。Pt娃I-ctror_cmotcw训s Z．H．Xion9st帕cfPhjnJcsM，^栅mn甜Key工d酣‘r·雌f竹，脚‘叼dI-5I—b—Hd 攒旦^掌 博士论文 几个纳米起伏的界面和周期重复性很好的Bragg反射镜；值得一提的是：本文 提出的制备多孔硅微腔的新方法还能在中心层得到直径为10nnl左右、沿着腐 蚀方向排列的高发光效率的纳米硅柱。脉冲腐蚀法制各的多孔硅微腔的光致发 光(PL)谱随发射角呈现出高方向性、单膜(没有肩形峰)和更加窄化的特点；在 自然条件下存放一定时间后微腔的PL显现出峰宽更窄和颜色更纯的结果：微腔 的窄PL峰灵敏于有机分子(如机械泵油分子)在其孔表面的吸附或孔里的填充： 微腔发光的温度效应表明测谱顺序影响着发光强度随温度的分布(即从低温到室 温的测谱结果与是从室温到低温的测谱结果不同)。相对于常规直流腐蚀法，脉 1 冲腐蚀制备的多孔硅微腔具有更好的界面特性是其发光特性得到改进的原因。) ／ (三) 结合分子束外延技术和电化学腐蚀方浏茬冒赢亡黼到了第1I型多 孔硅徽腔。 厂 f微腔截面的扫描电镜(SEU)图清楚地显现出第1I型多孔硅微腔的三跟治结 构．即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间。该微腔发射峰的半宽受到了 一个量级的压缩(即从150IIll1降至14nm)，而且通过调节电化学腐蚀参数(电 nm至810 流密度或腐蚀时间)，窄峰可以5nm间隔在700 nm的范围内出现。 用理论计算方法确定了几种制各条件下微腔中心层的发光峰峰位，并与相应微 腔的共振峰峰位进行了比较。微腔的发光(PL)随激光照射的连续谱表明多孔硅 微腔的发光较单层多孔硅的要稳定。这些结果表明结合分子束外延技术和电化 学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔，为证明多孔硅中是否存在受激辐射 (StimUlated r、 光电子集成电路中的光互联的潜在应用提供了新途径。／’