纳米硅薄膜阳能电池的制备和性能研究.pdfVIP

Studies on the synthesis and properties of nanocrystalline sili con thin film solar cell A Dissertation Submitted to Changzhou University By Feng Ye (Condensed Matter Physics) Dissertation Supervisor: Prof. Jian-Ning Ding May，20 11 中 文 摘 要 目前人类面临的环境污染和能源危机越来越严峻，开发可再生的 清洁能源迫在眉睫。太阳能作为绿色能源，取之不尽，又无污染，是 人类实现可持续发展的重要途径。到2010 年，全球的太阳能电池发 电总量已达到4GW ，每年的增幅更是达到了30% 。目前较为普及的 晶体硅太阳能电池存在成本较高，原材料消耗较大的问题，而非晶硅 又存在光致衰减，其他化合物太阳能电池对环境有污染。氢化纳米硅 薄膜太阳能电池由于避免了前者的缺点，越来越被人们所重视。 氢化纳米硅(nc-Si:H)是一种硅纳米晶粒镶嵌在(a-Si:H) 网络里的 硅纳米材料。纳米尺寸效应使其拥有优异的光敏性、光电特性、高电 导率、高光吸收系数和高光学带隙，其光电导在光照条件下衰减较小。 量子尺寸效应使纳米硅薄膜的光学带隙与薄膜的晶态比和晶粒大小 具有一定的变化规律。其优异的特性可用于制备氢化纳米硅(nc-Si:H) 薄膜太阳能电池。 氢化纳米硅(nc-Si:H)/单晶硅(c-Si)异质结太阳能电池既发挥了晶 体硅高迁移率的优势，又利用了低温的薄膜沉积工艺，同时，电池的 制备工艺简单，拥有实现制备低成本、高效率太阳能电池的发展前景。 本论文主要研究内容如下： 1、利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备掺磷(nc-Si:H)薄 膜，分析射频功率、硅烷浓度、衬底温度以及掺杂浓度对(nc-Si:H)薄 膜的晶态比、晶粒大小、电导率和光学带隙的影响。通过调整工艺， 优化了掺磷(nc-Si:H)薄膜的微结构和性能，为制备HIT 异质结太阳能 电池和p-i-n 太阳能电池做好了铺垫。 2 、介绍了nc-Si:H(N)/a-Si:H(I)/c-Si(P)异质结薄膜(HIT)太阳能电 池的原理，制备过程；研究了N 层掺杂浓度、厚度对HIT 太阳能电 池性能的影响；研究了有无本征层以及本征层的厚度对电池的影响； 研究了Al O 钝化层对电池性能的影响。 2 3 关键词: 氢化纳米硅薄膜; 异质结太阳能电池; 等离子增强沉积 I ABSTRACT At present , human beings are facing with severe environmental pollution and energy cri ses. Developing clean and renewable energy resources is imminent . As an inexhaustibility and sanitary energy, solar energy provides a promising prospect on the coming development way. By 2010 , the total power generated by the solar cell in the whole world