纳米碳化硅脉冲激光烧蚀沉积及其光学特性研究.pdfVIP

摘要 本工作采用脉冲激光烧蚀沉积技术在低温和较低激光能量条件下沉积了非晶 碳化硅(SiC)薄膜，对SiC薄膜的真空热退火和激光退火晶化特性进行了较系统 进行了表征和分析。在850。C以上温度下，采用真空热退火技术实现了SiC薄膜非 晶态向纳米晶的转化，随退火温度增加，SiC薄膜的光学透过率及其光学带隙不断 增加，SiC薄膜有序度不断提高，采用量子限制效应解释了退火薄膜的光学特性。 研究了激光能量密度对非晶SiC薄膜特性的影响，采用快速熔化模型，初步讨论 了非晶SiC激光退火晶化机制。引入金属Fe诱导晶化技术在相对低温下获得了SiC 的纳米定向晶化，采用能量最小原理对金属诱导SiC纳米定向生氏的微观机制进 行了初步分析。 关键词：纳米SiC：脉冲激光沉积：光学特性 Abstract are laser AmorphousSiC(a-SiC)filmsdepositedbypulse lowlaser fluenceatlowsubstrate characteristicsof energy temperature．The crystallized SiCfilmsthermal invacuumandlaser arestudied by annealing annealingrespectively The and of andannealed morphology,microstructureopticalpropertiesas—deposited arecharacterizedatomicforce and SiCfilms by microscopy(AFM)，Ramanscattering ultraviolet—visibletransmission thermal Transmission)．After spectroscopy(UV—VIS at invacuumabove850℃．a—SiCfilmstransformto SiC annealing nanocrystalline Withthermal oftransmissionand annealingtemperatureincreasing，percentage optical enhanceswith ofSiCfilmsincrease．The ofSiCfilms band—gap crystallinity increasing ofannealedSiCfilmsare the annealingtemperature．Theopticalproperties analyzedby the of confinementeffectTheeffectofdifferentlaserfluenceon quantum