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2015-10-27 发布于四川
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一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器-2006.pdf

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一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器-2006

等一种基于低温多晶硅技术的柔性位异步微处理器总第期 NobuoKaraki : TFT 8 62 文章编号: ( ) 1006-6268200604-0030-05 一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器 NobuoKaraki,TakashiNanmoto,HiroakiEbihara,SatoshiInoue,TatsuyaShimoda 精工爱普生公司技术平台中心,日本长野 ( ) 摘要:介绍基于低温多晶硅技术和采用激光退火表面刻蚀技术的柔性位异步微处理 TFT 8 器,并且给出了异步电路描述语言。个晶体管的微处理器在 , 的条件 Verilog+ 32,000 500kHz5V 下消耗电流 180mA,功耗是同步微处理器的30%。关键词:低温多晶硅;激光退火表面刻蚀;异步微处理器中图分类号: 文献标识码: TN141.9 B AFlexible8-bitAsynchronousMicroprocessorBasedonLow- TemperaturePoly-Silicon(LTPS)TFTTechnology NobuoKaraki,TakashiNanmoto,HiroakiEbihara,SatoshiInoue,TatsuyaShimoda (TechnologyPlatformResearchCenter,SeikoEpsonCorp.,Nagano-ken,Japan) Abstract:A flexible8-bitasynchronousmicroprocessorbasedon low-temperature poly-silicon (LTPS)TFTtechnology,surfacefreetechnologybylaserannealingandablation (SUFTLA)andasynchronouscircuitdescription languageVerilog+ ispresented.The 32k-transistormicroprocessorconsumes180mArunningat500KHz,5V.Thepowerlevelis 30%ofthesynchronouscounterpart. ; Keywords:low-temperaturepoly-silicon(LTPS)surfacefreetechnologybylaserannealing andablation, ; (SUFTLA)asynchronousmicroprocessor 它在特性上偏差太大,如图所示。这种偏差主 1 介绍 1 要由晶粒尺寸和氧化硅厚度所致。到目前为止, [2] 这种偏差被认为超出了同步电路设计所及范以低温多晶硅(LTPS)TFT技术和采用激光退火表面刻蚀(SUFTLA)为特征的柔性微电子技围,特别是针对由公用时钟驱动的诸如微处理 [