aglt#39;+gt;、cult;#39;2+gt;、allt;#39;3+gt;掺杂zno压敏瓷的电性能和微观结构.pdfVIP

摘 要 ZnO压敏瓷具有造价低廉、非线性系数高、漏电流小、响应时间快、浪涌 吸收能力强以及较高的工作稳定性，被广泛用作保护电子电路免受异常过电压 的损坏。均匀微观结构、高电位梯度ZnO压敏瓷的制备成为研究的热点和未来 研究趋势。本文系统研究了不同添加剂对Zn0压敏瓷的电性能和微观结构的影 响，利用x】m、SEM、EDS等分析方法，系统研究了不同添加剂种类(AgN03、 响规律及掺杂机理。 首先，研究了AgN03的添加量及烧结温度的升高对ZnO压敏瓷的主要电 性能及微观结构的影响。结果表明：A矿掺杂可以提高zno压敏瓷的致密度和 电位梯度，但随着AgN03添加量的增加，非线性系数减小，漏电流稍有增大。 综合考虑ZnO压敏瓷的电性能指标及致密度因素，烧结温度为1050℃，AgN03 添加量为1．omol％时，zno压敏瓷的综合性能最好。微观分析表明：A矿主要分 布在晶界和晶间相中，在晶粒内部几乎没有A矿，随着AgN03添加量的增加， Zn0晶粒的尺寸减小。通过ZnO压敏瓷的晶界势垒高度痧。、势垒宽度∞、施主 密度Ⅳd和晶界势垒密度Ⅳs的计算表明，Ag+掺杂ZnO压敏瓷主要以施主掺杂 的形式存在。 其次，研究了Cu2+掺杂对ZnO压敏瓷的电性能和微观结构的影响。结