钨酸钆镉单的结构和磁性研究.pdfVIP

摘要 本文介绍CdGd：(wo。)。一占单晶的生长，以及对该晶体的结构和磁性的研究。晶 体生长采用提拉法生长工艺，生长条件为：生长速度为0．84ram／h：旋转速度为 排水法测定所生长晶体的密度为p=7．6689／cm3。由紫外一可见光区的透射谱分 析得出，晶体是间接带隙宽禁带半导体，与直接跃迁相对应的能带隙为3．18ev， 与间接跃迁相对应的能带隙为3．63ev，参与间接跃迁的声子能量为0．095ev。对 伸缩振动；404tin。处为非对称弯曲振动；328cm。处为对称弯曲振动。205和 152cm。处的振动为阳离子的转动模式。晶体的直流磁性实验测量(仃一T和 盯一H)和电子自旋共振(ESR)实验显示出晶体具有朗之万顺磁性，但又具有磁 各向异性。晶体的磁各向异性体现了晶体的结构特征。室温下，平行c轴和垂直 法对电子顺磁共振实验进行了分析，一种是有效磁场描述，计算了各向异性场 瓦=0．070(T)；另一种是用朗德因子g张量来描述，，分析得出体现各向异性特 征的[92]为： 『8．0718o o] 【f产I o 8．07180 l 0 0 4．5510j 由此