铌酸锂的光现象与电子迁移研究.pdfVIP

西南大学硕十学伊论文 中文摘要 铌酸锂的光电现象与电子迁移研究 光学专业硕士研究生边玲 指导老师张耘副教授 刘德森教授博导 中文摘要 铌酸锂晶体(LiNb03，简称LN)是一种非常重要的多功能晶体，具有优良的压 Ballman成功采用提拉法生长出了铌酸锂晶体之后，人们对铌酸锂晶体进行了大量 的研究。近半个世纪以来，人们对铌酸锂晶体的生长表征及其应用作了广泛深入 的研究。基于铌酸锂的多种性质，它在非线性光学、光电子技术、通信领域和光 存储领域获得广泛的应用。 1968年Chen等人在铌酸锂晶体中实现体全息存储后，该晶体在光学全息存储 领域中得到了广泛的研究和应用。目前提出的长期保存全息图的固定方法很多， 主要有热固定法、电固定法、和光固定法。其中光固定法可以记录稳定、可长期 存储、特别是反复读取无损伤的全息图，因此光固定法成为目前研究的热点，铌 酸锂晶体更加备受关注。 光固定法首先必须了解铌酸锂晶体在光照作用下电子迁移的微观情况，建立