铋薄膜的结与输送性质研究.pdfVIP

目录 5．2． 表面态和体内部分的载流子类型及浓度．．．． 5．3． 转变点附近的铋薄膜的霍尔效应．．．．．．． 第6节结论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 鹅∞弛 第五章铋薄膜在低温强磁场下的Shubnikov．de Haas振荡 第1节前言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．。．．．． 第2节实验和结果．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 2．1． 横向电阻Rzu．一．．．．．．．．．．．．． 2．2． Shubnikov．de Haas振荡．．．．．．．．．．． 第3节总结．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 弱弱卯卯盯∞ 第 运测量 系统设计与搭建 船 ． ． ． ． ． 一 ． ． 一 ． ∞∞ 和异 ．搭性一建磁 ．电 ．阻 ．测 ．且里 一 ． ∞ 艚射靴躺瓤 原节节节节 位前设各总 输言计向结 ． 一 ． ． ． ． ． 一 ． 加 万方数据 fllllIIJllllrllIIINIIIIllrJuf Y2706017 摘要 伴随着尺度的减小，薄膜材料表现出越来越多体材料中没有体现的物理 性质，这些性质和伴随而生的现象的原因及其应用吸引了越来越广泛的关注。 小的载流子有效质量、相对较大的费米波长，一壹被作为研究量子输运效应 size effect)的重要材料。对其薄膜 (quantumtransport)、有限尺寸效应(finite 的特殊能带结构、奇特的输运性质，一直不断地有新的认识。但是至今，围绕 铋薄膜的诸多奇异特性，仍有很多疑问和争辩，它们的来源仍不完全为人们所 知。本论文的主要工作是对单晶铋薄膜的生长与输运性质进行了研究与分析。 此外，还设计了一套超高真空原位输运系统。主要内容如下： 1．使用分子束外延的方法在氟化钡(111)表面生长了单晶铋(Bi)的薄膜。 XR，D)，观察到随着薄膜厚度的增长，它的结构从多晶准立方相过 angle 渡到了单晶六角相，并且我们确定了铋薄膜在氟化钡(111)衬底上的不 同生长阶段。此外，在电导测量中也同样观察到了这种转变，与RHEED