新型单分子输运性质的第一原理计算.pdfVIP

摘要 摘 要 随着微电子学和电子器件小型化的不断发展，利用单分子或原子团簇构建电 子线路的元器件已经成为当今的发展趋势，与之相应的测量、解析这些分子器件 的电学特性或光学特性也逐渐发展成为了一门独立的学科，即分子电子学。随着 测量手段的不断发展，分子电子学在实验和理论上都取得了实质性的进展，实验 上人们通过隧道扫描显微镜(STM)以及原子力显微镜(AFM)等，研究单分子器件时 发现分子具有开关作用、负微分电阻(NDR)效应、分子记忆功能以及整流效应等 一系列重要特征，这些研究促进了分子电子学的发展和应用。同时理论上人们也 采用一些方法，比如半经验方法和第一性原理方法来模拟和解释分子器件的工作 原理，并且将第一性原理与非平衡格林函数(NEGF)相结合，己被证明是研究分子 器件输运性质的有效手段。这些理论的研究为构建稳定性良好的分子器件且将其 大规模应用到实际生活中来奠定了基础。由于电输运性质对分子器件的性能起着 至关重要的作用，因此，研究分子器件的电输运机制具有非常重要的意义。 以硅为基础的半导体设备越来越炙手可热，并且其尺寸也越来越趋向于小型 化。当这些器件的物理