氧化钨基半导体材料的制备及其性能的研究.pdfVIP

摘要 常规材料纳米化被认为是一种能够有效增强材料功能的一种方法和手段，不同结构和形貌的 半导体材料常能表现出许多独特而新颖的物理和化学特性。氧化钨作为n型半导体因其独特的物 理和化学性能，已被广泛应用到了气敏传感、电容、光学材料、光催化和光电转换等领域。本 文针对国内外对氧化钨纳米材料的研究进展，从材料的组成和结构入手，通过溶剂热法制各了不 同组成、结构和形貌特征的氧化钨基纳米半导体材料，并对它们的吸附性能以及光降解罗丹明B 性能进行了研究，主要研究内容如下： 以乙醇，乙二醇以及微量的水为溶剂，六氯化钨为钨源，通过改变反应时间、温度以及水量 制备出不同形貌和结构的氧化钨半导体材料。通过XRD和SEM等对所制得的纳米氧化钨的组成、 结构、形貌以及粒径大小进行表征。在此基础上，对不同条件下得到的氧化钨进行氧化处理，通 过改变氧化时间等因素对样品的组成和形貌进行调控，通过XRD和SEM等测试手段对处理后的 氧化钨进行表征，对氧化后的样品进行吸附性能和光催化性能进行研究，并考察了氧化时间对光 催化效果的影响。通过研究得到以下结论：溶剂热条件下得到的样品具有较高的吸附性能，纳米 片结构的样品由于其比表面积比较大，所以吸附效果较好。样品经过氧化处理可以得到纳米异相 结构。具有纳米异质结构的氧化钨的催化效果最好，但随着氧化时间的延长，纳米异质结构发生 改变，样品的催化效果随之降低，由此我们可通过调控氧化钨的氧化时间来有效控制氧化钨基半 导体材料的化学组成和异质结构。 关键词溶剂熟，纳米氧化钨，纳米结构，光催化性能 Abstract Thenano-modificationof materialsisa effectivemethodin materialwith ordinary very endowing new semiconductor novel andchemical materialsown function．Many many physical propertiesowing totheir and oxide ithas semiconductor,and uniquemorphologycomposition．Tungstenis锄n-type notablecharacteristicsin andchemical the1970 foundthat S，Deb many physical properties．Since nanometeroxidehas numberofstudieshadbeencarried tungsten photocatalyticperformances，alarge outonthe and synthesis，photocatalyticproperties，capacitiveperformance，photosensitivegas-sensing about thenanometeroxide．Inthis seriesof the properties tungsten dissertation，a tungsten high—quality oxide-bsed