《高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析》.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ##( ， ， ， 7@P /’ O@ / Q;AR;?S ##( （ ） ###B(2#L##(L’ # L#’)B#% CG4C :1M*NGC *NONGC ##( GJ+A / :JST / *@ / 高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析! ! 姜金龙 李文杰 周 立 赵汝光 杨威生 （北京大学物理系，人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京 ##$%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ ( ## ) 报道了在系统搜寻稳定硅表面的过程中对四个稳定高指数表面 （，， ），（，，），（，，）和（ ，， ）的低 *+ # $ ’ % 能电子衍射（ ）图进行的分析和结果 这些表面经充分退火后都能给出属于各自表面的 图，而不是小面 ,--. / ,--. 化的，说明它们都是稳定的 从它们的 斑点强度分布特征不仅可以推断（ ，， ）是主稳定表面，而（，， ）， / ,--. ’ % （，，）和（，，）则是副稳定表面，还能知道这些副稳定表面的原胞结构特征，甚至许多重要细节 从原胞结构特 # $ / 征来看，这些副稳定表面有可能用作生长周期量子线的模板/ 关键词：硅，高指数表面，近邻面，原胞小面化，低能电子衍射（ ） ,--. ： ， !## )01 )$# ［ ］ 有效% / 3 引 言 本文报道我们在系统搜寻稳定硅表面的过程中 对四个稳定高指数表面 （，， ），（ ），（ ） *+ # $ 几十年来，由于微电子技术发展的需要，