复旦大学集成电路工艺原理5.pptVIP

* NGL（next generation lithography — E-Beam 直写） PMMA光刻胶 制作掩模版 * 电子束光刻问题：1）速度慢！ * 电子束光刻问题：2）电子散射及二次电子：线条宽束斑 真空下工作 焦深大 直写，无掩膜版 * 电子束源： 热电子发射 场发射 光发射 电子束发射后, 被准直或聚焦，然后加速到 20 kV 束斑直径 ≈100 ? 和离子注入类似 * 其它可能的下一代光刻技术 纳米压印（Nanoimprint） 基于材料和工艺革新的“侧墙转移”技术（Sidewall/Spacer transfer lithography） X射线光刻技术（XRL） 离子束光刻技术（IBL） 无掩模光刻——电子束（Shaped Beam / Multi-Column / Multi-Beams） 无光源 * 光刻总结 理论分辨率： 短波长光源 大NA：透镜系统、浸润 小k1：RET及工艺和光刻胶改进 实际分辨率：光刻胶、曝光系统、光源 PSM OPC OAI 焦深: * * DUV has better sensitivity and contrast which means that they can better ”sharpen” up a poor aerial image. Qf/Qo=1.3 ger g=8.7 Qf/Qo=2.5 ger g=2.