三维互连凸点电移有限元模拟.pdfVIP

三维互连凸点电迁移有限元模拟+ 摘要 电迁移对集成电路影响是半导体可靠性分析中的一个重要方面。 随着大规模集成电路的快速发展，电迁移变成了主要的失效机制之 一。为了改善大规模集成电路的可靠性，必须进一步弄清楚电迁移的 寿命退化机理，从而改善集成电路中金属互连与芯片封装的可靠性。 无铅焊料的电迁移研究是晶圆级倒装芯片封装中凸点互连可靠性的 新方向，它成为Ic芯片封装互连的一个独特问题。由于凸点的电迁 移涉及到较为复杂的多学科问题，在理论与实验上都需要进行深入的 研究。本课题研究了芯片互连凸点的电迁移算法，电迁移空洞(void) 形成与失效的有限元模拟技术。 首先对电迁移的基本理论进行了总结和讨论，将电迁移的数学模 型分为电子迁移、热迁移和应力迁移，推导了各迁移分量的表达式及 时间相关的迁移散度模型。研究了电迁移失效寿命与电迁移散度，相 关焊锡材料的电迁移物理参数之间的关系。 其次，进行了基于ANSYS子模型技术的电迁移耦合场分析以及 电迁移相关的有限元算法的研究，发展了电迁移模拟直接耦合法和间 接耦合法，编制了相应的APDL程序。本文还进行了相应的应力与散 度重构模拟和算法研究，提出了电迁移空洞的形成算法和电迁移寿命 预