《自旋转移力矩磁隧道结的建模与仿真2016年论文》.pdfVIP

电子技术研发ElectronicsRD 电子技术 10．39694．issn．1000-0755．2015．03．001 自旋转移力矩磁隧道结的建模与仿真 曾剑铭 沈海斌 (浙江大学超大规模集成 电路设计研究所) 摘 要：自旋转移力矩磁隧道结 (STT-MTJ)是一种新兴的非易失性存储单元。因为有着掉电后数据不 丢失、无限的写次数、与CMOS工艺兼容、不会增加器件面积以及 良好的可缩放性等诸如多优点而得到了 广泛的研究。但是 由于 目前的工艺厂商尚未推出相应的模型，研究者难以先期使用该技术进行 电路设计。 文章介绍了STT-MTJ的工作原理，详细研究了使用Verilog—A对STT-MTJ建模的思路，并在HSPICE中进行了 仿真验证，为后续的STT-MTJ研究奠定了基础。 关键词：自旋转移力矩磁隧道结；非易失性存储；Verilog．A；建模 ModelingandSimulationofSpin--Torque--TransferM agneticTunnelJunction