电池工艺原理.pptVIP

单晶制绒的原理： 硅的各向异性腐蚀，在不同的晶向上的腐蚀速度不一致，在100面上的腐蚀速率与111面上的腐蚀速率R111的比值 R100：R111在一定的弱碱溶液中可以达到500 单晶硅制绒化学方程式 目的：去除硅片表面的机械损伤层，清除表面油污和金属杂质，在硅片表面长出类似“金字塔”的绒面，增加硅片对太阳光的吸收 多晶制绒的原理： 影响硅片转换效率的金属铁Fe、钠Na、锰Mn、 锑Ti、金、银、钨 多晶硅制绒化学方程式 4HNO3+6HF+Si=H2[SiF6]+4NO2+4H2O NaoH作用：去除硅片表面的多孔硅(黑色或红色)。  目的：去除硅片表面损伤层。去除表面金属杂质在表面形成凹状绒面，增加对太阳光的吸收。 太阳电池制造过程-化学清洗 HCL去除硅片表面的金属离子 HF去除硅片表面硅酸钠 P型半导体硅 绒面的各种形貌 单晶原始形貌（500倍） 单晶绒面 （500倍） 单晶绒面（SEM） 多晶绒面（SEM） 太阳电池制造过程-扩散 在P型半导体表面掺杂五价磷原子 在硅片表面形成PN结 外层：磷硅玻璃 中间：N型半导体硅 P型半导体硅 P型硅 N型硅 磷硅玻璃(PSG) PN结——太阳电池的心脏 扩散的目的：形成PN结 扩散装置示意图 四探针测量方块电阻 电位差计 单 晶 硅 1 2 3 4 扩散原理化学方程式: