晶硅太阳电池性能5-1-上传百度文库.pptVIP

晶硅太阳电池的性能 PN结内建电场 在一块半导体晶体内，P 型和n 型紧接在一起时，将它们交界处称为pn 结。 当p 型，n 型单独存在时，费米能级如图2.12（a）所示，分别位于介带和导带附近. 一旦形成pn 结，由于结两边的电子和空穴的浓度不同，电子就强烈地要从n 区向p区扩散，空穴则要向相反方向扩散，其结果在n 型一边出现正电荷，在p 型一边出现负电荷。 这两种电荷层在半导体内部建立了一个内建电场，这个电场反过来又在结处产生一个内部电位降，阻挡了电子和空穴的进一步扩散，包含这两种电荷层的空间称为耗尽区或空间电荷区。 通过这个空间电荷区的作用，使费米能级成同一水平，达到平衡状态。 图2.12（b）表示pn结的能带图及从p 区向n 区变化的空间电荷区。内建电场从n 区指向p 区，形成势垒。 在平衡状态下，由于扩散，从p 区越过势垒向n 区移动的空穴数目等同于空间电荷区附近n 区中由于热运动产生的少数载流子空穴在空间电荷区内建电场的作用下漂移到p 区的数目，因此没有电流流过。 对于电子也可做同样的论述。 半导体的内光电效应 当光照射到半导体上时，光子将能量提供给电子，电子将跃迁到更高的能态，在这些电子中，作为实际使用的光电器件里可利用的电子有： （1） 价带电子； （2） 自由电子或空穴（Free Carrier）； （3） 存在于杂质能级上的电子。 太阳电池可利用的电子主要是价带电子。 由价带电子得到光的能量跃迁到导带的过程决定的光的吸收称为本征或固有吸收。 太阳电池能量转换的基础是结的光生伏特效应。 当光照射到pn 结上时，产生电子一空穴对，在半导体内部结附近生成的载流子没有被复合而到达空间电荷区，受内建电场的吸引，电子流入n 区，空穴流入p 区，结果使n 区储存了过剩的电子，p 区有过剩的空穴。 它们在pn 结附近形成与势垒方向相反的光生电场。 光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使p 区带正电，N 区带负电，在N 区和P 区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。 此时，如果将外电路短路，则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过，这个电流称作短路电流； 另一方面，若将PN 结两端开路，则由于电子和空穴分别流入N 区和P 区，使N 区的费米能级比P 区的费米能级高，在这两个费米能级之间就产生了电位差VOC。可以测得这个值，并称为开路电压。 太阳电池的能量转换过程 太阳电池是将太阳能直接转换成电能的器件。它的基本构造是由半导体的PN 结组成。 此外，异质结、肖特基势垒等也可以得到较好的光电转换效率。 本节以最普通的硅PN 结太阳电池为例，详细地观察光能转换成电能的情况。 太阳电池的能量转换过程 首先研究使太阳电池工作时，在外部观测到的特性。图2.14 表示了无光照时典型的电流电压特性（暗电流）。 当太阳光照射到这个太阳电池上时，将有和暗电流方向相反的光电流Iph 流过。 当给太阳电池连结负载R，并用太阳光照射时，则负载上的电流Im 和电压Vm 将由图中有光照时的电流一电压特性曲线与V=-IR 表示的直线的交点来确定。此时负载上有Pout=RI2m的功率消耗，它清楚地表明正在进行着光电能量的转换。 通过调整负载的大小，可以在一个最佳的工作点上得到最大输出功率。 输出功率（电能）与输入功率（光能）之比称为太阳电池的能量转换效率。 作业 1.解释PN结内建电场。 2.画出太阳电池的I-V曲线，并解释开路电压、短路电流、太阳电池的转换效率和填充因子。 太阳电池的光谱响应 在本征半导体中，能量小于禁带宽度的光子不能激发电子空穴对，只会在半导体中产生吸收和反射。 只有能量大于或等于禁带宽度的光子才能激发电子空穴对。 太阳电池的光谱响应 能量不同的光子具有不同的激发电子空穴对的转换能力 一般用光谱响应表示不同波长的光子产生电子空穴对的能力。 定量的说，太阳电池的光谱响应就是当某一波长的光照射在P-N结表面上时，每一光子平均所能收集到的载流子数。 在太阳电池中，光谱响应实际上指的是“内光谱响应”，即在短路情况下，在电池两端收集到的载流子数与射入材料的光子之比： 相对光谱响应 在实际工作中，采用“相对光谱响应”的概念比较方便。 所谓相对光谱响应就是将某一频率处测得的最大光谱响应标定为1，以此作基准，来量度其他波长的光谱响应所获得的相对值。 光子能量从1.1eV开始，产生光谱响应，而到1.5eV左右，光谱响应最大。 随着光子能量继续上升，吸收系数也随之增大，因此大部分光生载流子集中产生在顶区表面。 但顶区中少子寿命极低，表面复合速度极大，因而高能光谱响应也随着衰减。而且光子能量越大，吸收也越大，表面区域载流子损失也越多，因此光谱响应衰减也越迅速。 太阳电池的分光感度特性 荧光灯的放射频谱