半导体CuXTe2(X%3dGa%2cIn)和ZnGa2X4(X%3dS%2cSe)第一性原理的研究.pdfVIP

半导体CuXTe2(X%3dGa%2cIn)和ZnGa2X4(X%3dS%2cSe)第一性原理的研究.pdf

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Shanxi University Dissertationfor2009Master Degree First CuXTe2(X=G =S,Se) Mi Name Shu Associate Xiao—Shu Supervisor Prof.Jiang Theoretical Major Physics Condensed FieldofResearch Matter Physics InstituteofTheoretical Department Physics ResearchDuration2006.9--2009.6 Shanxi University May,2009 万方数据 目录 |IIIII IIII IIIIIIII I IIl Y2681238 目 录 前言…………………………………………………….1 第一章基本理论计算方法和ABINIT程序包简介………..…………3 1.1 1.2 1.3密度泛函理论…………………………………….….6 1.3.1 1.3.2 Kohn—Sham定理…………………………………….7 1-3.3局域密度近似(LDA)………………………………….8 1.3.4广义梯度近似(GGA)……………………...………….9 1.4平面波赝势法………….……………………………10 1.4.1模守恒赝势…………………………………….…11 1.5ABINIT程序包简介…………………………………..12 引言………………………………………………....14 2.1主要参数确定……………………………………….14 2.2理论模型和计算方法………………………………….18 2.3计算结果与讨论…………………………..….……..19 2.4小结……………………………………………...24 引言………………………………………………….25 3.1理论模型和计算方法………….……………………...25 3.2计算结果与讨论……………………………………..26 3.3小结………………………….…………………..30 总结与展望………………………………………….….3l 参考文献………………………………

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