CCD图像传感器研究背景发展及国内外现状.docVIP

CCD图像传感器研究背景发展及国内外现状 1CCD图像传感器研究背景 1 2 CCD图像传感器的发展历史 1 1CCD图像传感器研究背景 CCD（Charge Coupled Device）即电荷耦合器件，它是20世纪70年代初发展起来的新型半导体光电成像器件，首先由美国贝尔电话实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年首先提出了CCD的概念，在经历了一段时间的研究之后，建立了以一维势阱模型为基础的非稳态CCD的基本理论。近30多年来，随着新型半导体材料的不断涌现和器件微细化技术的日趋完备，CCD器件及其应用技术得到了较快的发展，取得了惊人的进步。 目前CCD应用技术已成为集光学、电子学、精密机械与计算机技术为一体的综合性技术，在现代光子学、光电检测技术和现代测试技术领域中成果累累，方兴未艾。而CCD传感器无论是线阵还是面阵结构，其中都混杂有各种噪声或干扰成分，这极大地影响了CCD在高精度测量领域中的应用[1]。因此降低噪声成为改善成像系统的一个首要任务。相应的，如何精确地简便地测出CCD的噪声也变得极为重要。 2 CCD传感器的国内外研究现状 目前， CCD 图像传感器的生产主要集中在日本的索尼、东芝、松下、滨松、夏普、三洋、富士、奥林巴斯、NEC、加拿大的达尔萨和美国的柯达等公司。当前各CCD 生产厂商和数码相机、摄像机厂商之间像素和照片质量的竞争, 实质是缩小像素面积的竞争。自1987年以来，CCD图像传感器的像素面积以每年20%的速度缩小，目前像素面积已经小于。从目前CCD技术的发展趋势来看，CCD将向高分辨力、高速度、微型化、多光谱、紫外、X射线、红外等方向发展。近几年，数码相机和微型摄像机的发展过程中，CCD和CMOS图像传感器相互竞争。总的来看，在军用领域，CCD使用的较多；在民用领域，CMOS图像传感器与CCD之间的竞争相当激烈，重点是制作工艺、功耗、集成度和成本。在竞争的过程中, CCD和CMOS图像传感器的研制和开发厂商不断推出新品。从CMOS与CCD目前的应用、技术发展以及未来的发展趋势看，CMOS图像传感器可能成为主流。CMOS 固体摄像器件与90%的半导体器件都采用相同标准的芯片制造技术，而CCD 则需要一种特殊的制造工艺，故CCD的制造成本高很多。 微光探测方面，市场上已推出了lx，水平分辨率大于700TV线，动态范围4000:1的CCD像机。德国BM光谱公司出售的制冷CCD像机，在－15℃(液氮制冷)下灵敏度达lm，动态范围16000:1，是光谱分析、X射线分析、遥感摄像等极好的工具。 在图像传感方面，目前还是以低性能的CCD(即线阵CCD和30万像素以下的面阵CCD)为主，多用于办公自动化方面的传真机、复印机、摄影机等；工业方面的机器人视觉、热影分析、安全监视、工业监控等；社会生活方面的家庭摄录一体化、汽车后视镜、门视镜等；军事方面的成像制导和跟踪、微光夜视、光电侦察、可视电话等。至于高性能的CCD多用于医疗、高清晰度电视、电视摄像以及天文学、卫星遥感等领域。 对于CCD来说，随着大规模、超大规模集成工艺的进展，CCD不仅研究水平不断提高，阵列元素不断增加，CCD摄像机的性能越来越好，而且更重要的是CCD芯片的成品率不断提高，摄像机的价格大幅度下降，CCD摄像机的价格较之管式摄像机的价格平均要低20%～60%。又如俄罗斯机器人综合研究所推出的一种CCD像机能在微光中拍摄并分辨出比人的头发丝还细的物体，其售价只有同类管式摄像机的1/3。价格低廉使CCD摄像机的应用领域迅速扩大。现在不论是信号处理，还是数字存储，不论是高精度摄影还是家用摄像，不论是民用还是军用，可以说从太空到海底到处都有CCD的用武之地。 国内图像传感器水平和国外差距较大。电子44所、西安光机所和13所等开展CCD研究。在西安光机所研制的中国嫦娥CCD立体相机（参数）获取到了首张月图。电子44所CCD图像传感器开发中心具有从事CCD技术研究的4英寸、2微米工艺线和测试仪器设备，是国内唯一的CCD研制线，具有相应的在线检测和CCD参数测试评价仪器设备。44所主要从事高性能可见光CCD极大阵列化、以及新型红外CCD研究，自行研制出PtSi红外CCD组件，可见CCD已产品化，包括线阵1024、2048、4096和6000像素CCD，和像素CCD，可见光TDI CCD、高速CCD等；可见光CCD像素尺寸最小。