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【专题】Mott-Schottky测试及数据处理 作者: jjfyj ?? 收录日期: 2010-12-05 ?? 发布日期: 2010-11-28 发现很多虫友对Mott-schottky技术提问的很多，但基本上没有明确的答复。我对此技术了解得也很少，本质上来说，Mott-schottky属于固体物理学的知识。由于本人才疏学浅，接触它也仅仅几天的时间，因此无法对Mott-schottky曲线的分析以及更加高深的部分进行解答，万望谅解。今就如何在上海辰华CHI660B电化学工作站测试Mott-schottky曲线，以及如何进行数据处理，说一下自己的经验。不当之处祈盼大牛指正，大家共同学习提高。  作者：jjfyj 1、Mott-schottky测试? ? 测试技术采用Impedance-Potential，如图所示：接着设置参数：? ? 我的理解是，Mott-schottky属于固定频率测试阻抗随电位的变化关系。yaya2566虫友（ HYPERLINK /bbs/viewthread.php?tid=2606750） \t _blank /bbs/viewthread.php?tid=2606750）liaofan33 虫友（ HYPERLINK /bbs/viewthread.php?tid=2345087） \t _blank /bbs/viewthread.php?tid=2345087）? ? 均问到参数的设置问题。从第二张图上我们可以看到，需要设置的参数分别有初始电位，终止电位，电位增幅，幅值（对应于文献中的交流扰动信号/正弦波交流电信号），频率等等。? ? 首先，需要自己拟定合适的电位区间，大家可以去查找自己领域的文献。电位增幅，我选择的是很低的，觉得这样测定出来的数据更加准确，就像极化曲线或CV中扫速越小，曲线越精确一样，不知这样理解是否正确，留待大牛斧正。幅值，我觉得与EIS是一样的，一般选择5mV或10mV，由于Mott-schottky一般是来研究半导体型的钝化膜，10mV为宜。频率的选择，我们可以选择不同的频率做一系列曲线，如果测试频率的增加使各曲线电容值减小, 表明电容对频率的依赖，Mott-schottky 曲线随频率变化发生弥散现象（可参考张云莲，史美伦，陈志源的《钢筋钝化膜半导体性能的Mott_Schottky研究》和孔德生，李亮的《电容测量研究铬表面氧化膜的半导体性能》）? ? 至于直流电偏移一项，CHI660B给出的说明是：When dc current is high and ac current is low, the sensitivity can not be increased because dc current will overflow. This problem is more serious when the frequency is relatively low. By applying dc current bias, it allows higher ac signal amplification. A 16-bit DAC is used for this purpose. If dc current is not expected to be large and the frequency is high, one may not want to bias dc current.大家可以自行判断。? ? 最后一项是灵敏度，说明书给出的解释是The sensitivity scale setting is automatic by default. During the experiment, the system tests the current size and determines the proper sensitivity scale. It usually works well. The sensitivity scale setting can also be manually overridden. In certaincases, it may provide better results.因此我保留的是默认值。? ? 中间几项也采用默认数值。 作者：jjfyj 二、Mott-schottky曲线的显示? ? 试验完成后，显示的图形为LogZ-E图，我们可以另起改为Mott-schottky曲线形式显示。Graphics-Graph option在Data下拉菜单中可以看到有两个Mott-schottky曲线可供选择区别在于电容的不同，一个Cs一个是Cp。下标s为series串联；