等离子体苯胺聚合膜离子注入层的电阻率.pdfVIP

维普资讯 Vo1．13 高分子材料科学与工程 NO．2 907年 3月 POLYMERICMATERIALSSCIENCEANDENGINEERING Mar．I997 等离子体苯胺聚合膜离子注入层的电阻率 张铮杨 吴美堡 浦天舒 童志深 — - — — — — _ — 一 ， — — — — — 一 (中国妨织大学基础薛、上海．200051) ， 7 _7 0 擒 要 等离子傩革胺聚各膜经 l00keV、5×l0Ar ／cm 或24keV、I×10 T／cm 离子注入詹．室温 电阻丰下降12个敷量缸。用范德竖(Van-der-Pauw)法在 I73K~30,3K温度范围内，洲it了温度对 注入层体电阻丰的|j响。宾]l旨枉口月，注入层内电荷戴泣子的辅逆过1王可用Mort的可变自由幔跳跃 (VRH)摸型培议辫释．根据此VRH理论得到Fermi能垭处的志密度致电荷栽流子最可能的跳跃距 离’ 关关键键词词等芝皇离三子体竺髦曼宣宣．’离塑子王至注坠入：．电里里墨．范范·德德堡堡法法，可可变变自自由由程程跳跳跃跃瘁莘讳秀奋}专；嚷氍 聚合物电传导性能的研究近年来受到广泛的重视．用离子注入的方法能使聚合物表面产 生稳定的导电层．更引起人ff]的关注。我们昂近曾以苯胺为单体．在等离子体环境下聚合得到 黄包致密的有机膜 应用FT-IR、XPS、近红外一可见一紫外光的反射和透射谱以及离子束分析等 方法研究了膜的成分和结构特征 “。结果表明．原始膜内虽有较高的化学和结掬无序性，坦仍 存在不少的环结构(包括苯环和醍环)。原始膜的体电阻率很高(10“0·cm)，但l00keV、5× l0”Ar一／cm或2dkeV、l×l0r／crn的离子注入。可使电阻率降低l2个量级。本文的目的 是在以前工作的基础上进一步研究温度对注入层体电阻率的影响(温度范围：173K~303K)． 并探讨注入屡内电荷载流子的输运机理。 1 实验部分 (1) 测量半导体材料的薄层电阻率一般用范憋堡法 ‘。此时样品形状可以任意．为方便 计我们采用矩形样品．其边缘有d个触点(参见Fig．1)．若分别在a、c和a、d端通以电流 ，及 ． 则在d 及c 端测得的电压分别为 和 ．薄层内的体电阻率可由下式得到； 口=(，．／1n2)[(晶+R)／2丁，() (1) 式中 =H ／；= ／ ；‘为薄层厚度．在本文中它等于离子在试样内的平均射程 。及射 程岐离崛 之和 由TRIM一91程序．可以得到100keVAr一的 —1．6×l0，tlrt和 ^ 3．84× l0 m；而24keVT一的R一3．5×l0 m．^R一8．0×l0’m。式(1)中的函数，(0)由下式给出： 收碡日期；l9g5一 一O8 维普资讯 第2期 豫铮扬等：等离子I#苯睦鼙台瞄离子注^屡的电阻率 77 (}‘一 1)，(}‘+ 1)一 (f／la2)ar~cosh{(j／2)cxp(1n2／y)} 这里 口一 ／岛或 口一 ／nt．但必须 口≥l。 (2) 用范德堡法测量电传导等离子体聚合有机膜的薄层电阻率时邋到两个困难：①不能 用焊接方法从试样触点引出导线．我们采用印刷电路板的方法特制成详品夹，以压接触的形式 使细导线从触点引出。②在所测温度范围内．试佯的电阻率较高(电阻率的变化范围为jO。～ loOc·m)，通