高k介电薄膜的制备以及薄膜晶体管中的应用研究毕业论文忠.docxVIP

山东大学毕业论文  PAGE \* MERGEFORMAT 38 毕业论文 (设计) 论文 (设计) 题目： 高k介电薄膜的制备以及薄膜晶体管中的应用研究 The fabrication of high-k dielectrics film and its application on thin film transistors 学 生 姓 名 周广杰 学 院 材料科学与工程 专 业 无机非金属材料工程 年 级 2011级 指导教师姓名 王素梅 副教授 学 生 姓 名 周广杰 学 院 材料科学与工程 专 业 无机非金属材料工程 年 级 2011级 指导教师姓名 王素梅 副教授 调整格式,居中 2015年6月10日 摘 要 栅介质材料是金属--氧化层--半导体场效晶体管（MOSFET）中的一个重要组成部分。近年来，随着晶体管器件精细化、小型化的高速发展，高K材料的提出和开发成为了新的研究热点。但是用于 MOSFET 中的栅介质材料，除了要求高的介电常数外，对栅介质薄膜界面的质量要求非常高。晶粒尺寸及晶界均会对薄膜介电常数及漏电流大小产生影响。因此，对于栅介质材料的研究，具有非常重要的意义。 本文选取了Al2O3作为栅介质材料，利用溶胶-凝胶法制备了非晶态 Al2O3 薄膜材料，研究了不同热处理条件（紫外光退火，光波退火等）工艺对薄膜微观结构及介电、漏电性能的影响。以氧化铝薄膜为介电层，掺杂铟稼的氧化锌为半导体层制备了低操作电压薄膜晶体管。操作电压可降低至3 V，场迁移率可达6.96 cm2V-1s-1，开关比达到1.13×104。满足低操作电压晶体管器件的使用要求。 关键词：薄膜晶体管；高K介电材料；溶胶-凝胶法；Al2O3薄膜 Abstract Gate dielectric material is an important component in metal-oxide- semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In recent years, with the rapid development of transistor devices towards elaboration and miniaturization, the proposition and development of high-K materials has become a new research hotspot. But for the gate dielectric material used in MOSFET, in addition to the requirement of high dielectric constant, the quality of the gate dielectric film interface is also required to be very high. Both grain size and grain boundaries have an impact on the dielectric constant and leakage current of the thin films. Therefore,it has very important significance for the study of gate dielectric material. In this work, Al2O3 was selected as the gate dielectric materials and the method preparing amorphous Al2O3 is sol-gel, has research that effect of different heat treatment conditions (UV annealing, Lightwave annealing) on the microstructure and dielectric film leakage properties.Low operating voltage thin film transistor is prepared with Alumina film as a dielec