晶体管工作状态的研究.docVIP

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晶体管工作状态的研究.doc

晶体管工作状态的研究 题目 利用Multisim研究下图所示电路中的晶体管在V1为何值时从截止状态变为导通状态,V1为何值时由放大状态变为饱和状态。 仿真电路和分析 如上图,因为晶体管从截止变为导通的临界条件是Ib 0,从放大状态变为饱和状态的临界条件是Uce Ube 0.7V,所以利用万用表测量Ib和Uce,控制V1的值,使得电流表和电压表测得数据满足临界条件,即可找到所需求的V1的值。 仿真结果 V1 0.47V时,电流表的读数为零,当V1再增大时,电流表读数大于零,故此时晶体管由截止状态变为导通状态 V1 1.16238V时,电压表的读数为0.7V,当V1再增大时,电压表的读数减小,故此时晶体管由放大状态变为饱和状态 仿真中遇到的问题,收获和体会 仿真中,调节V1的值不容易,需要有足够的耐心。在这次仿真实验里,我学会了在Multisim下搭建电路的方法,知道了晶体管工作状态间的联系和区别,以及其工作在各状态所需要满足的条件。

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