等离子体增强化学气相沉积法制备氮化碳薄膜及气相反应过程的分析.pdf

摘 蓝 摘 要 { 1 本工作采用等离子体增强化学7计目沉积技术对Si衬底上沉积的氮化碳薄膜 ● { z ● ● 微观结构进行了分析和确定：研究了偏压和衬底温度等实验参量对氮化碳薄膜特 性的影响；探讨了催化剂铁对氮化碳薄膜特性的影响。实验结果表明：放电偏压 可以阻止薄膜中SiC的产生，衬底温度对氮化碳薄膜的相变起决定性作用。催化 剂铁的引入可规则薄膜中cN晶粒形状、提高薄膜沉积速率和降低晶态氮化碳薄膜 的衬底温度。 本工作还利用光学发射谱(OES)技术对直流辉光放电等离子体增强化学气相 沉积法生长氮化碳薄膜过程中的气相反应过程进行了研究，探讨了实验参数如气 压、放电电流、氢气气源百分比等对等离子体内各主要活性粒子浓度及粒子问反 p 应过程的影畸—等离子体中各主要活性粒子浓度随气压增加而减小．随放电电流 、 的变化趋势则相反，而在氢气气源浓度为5％时活性粒子浓度出现最大值。由此探 讨了不同活性粒子的产生和消失机制，为薄膜生长机理的研究提供了参考数据 关键闯：等离子体铷相沉干}{，氮化碳，沉积参数，光学发射诺 ——————————————___--_-————————————r————————————一一一 ≥l§i 鑫，燃{缸一 r i， j_ 等离子体增强化学气相沉积氮化碳及气相反应过程研究 第一章绪论 在过去的十年中，人们对CN材料的制各及理论研究做了大量的工作【”。这一 课题得到如此广泛的关注是因为：其一，CN膜无论是晶态还是非晶态都具有硬度 高、耐腐蚀、耐磨、无磁响应和可变能隙范围宽(从零至几个ev)等特性，可做 变能带材料[21和磁盘涂覆材料【3】；其二，CN膜的制备还有一个潜在应用，验证人 类能否在实验室中合成理论预言的高性能材料。因此，CN膜在科学研究和实际 应用中都具有重要意义。 硬度具有普遍意义的半经验公式．计算出碳氮共价键化合物的体弹性模量 对晶体的电子结构进行计算发现CN化台物具有较大的凝聚能，至少是一‘种亚稳态， 立方相、赝立方相和石墨相CN化合物的稳定性进行了计算，其中以低体弹性模 了研究，给出CN薄膜Raman谱。 4 相当大的人力和物力进行CN薄膜的制备。主要的制备方法有高温高压法、离J 注入法，物理气相沉淀法(包括磁控溅射、各种激光熔融、弧光沉淀和离r泶；jL 淀等)，以及各种化学‘L柏沉积(各种微波等离f停化学气相沉积、各种热缝化’。；‘ 气相沉积和电弧等离，体化学气相沉积)。尽管在大多数情况下，沉积膜为{I：jt＼态． C，N； 但至今亦有80多篇文献报道合成了晶态CN．其中大多数是B—C3N4f8训、o 的结果，但仍没有研究小组能拿出足够的完整的证据，从结构、成份、C—N成键 究仍是今后研究的课题。 为了研究CN薄膜沉积过程中气相反应，许多实验小组应用光学发射谱(OES) 技术对碳氮薄膜的沉积过程进行了研究：赵菁等人∞1报道了对空心阴极溅射沉积 等人【241研究了直流磁溅射氮化碳合成过程中沉积参数对等离子体中各碎片粒子 的影响；NingXu等人【2