等离子体电子温度控制及用于反应粒子选择分析.pdf

譬411 9知 摘 要 在等离子体的工业应用中，为了实现等离子体刻蚀中高选择性和低损伤的软 等离子体的产生，及等离子体材料制备中与合成的材料和性能密切相关的反应粒 子的优化选择，迫切需要实现对等离子体中的电子温度的有效控制。 置，根据其不同特点，分别选用了加入栅网和掺入惰性气体的方法成功实现了对 等离子体中的电子温度的有效控制。并使用静电探针，质谱，可见光发射光谱等 对其中等离子体参数和反应粒子的随电子温度的变化进行了研究，提出了通过调 节电子温度来选择反应粒子的可能途径。 中电子温度的有效调控。针对N 来的特殊现象，为进行对比，并更多考虑到实际中应用的可能性，我们率先使用 H2及Hz+CH4混合气体作为主要的反应气体。 实验中，使用静电双探针在不同网格尺寸，不同栅网直径，不同偏压等情况 下对等离子体中电子温度，密度的变化进行了较为详细的测量，得到了很多有用 形状上的改变。 我们率先使用可见光谱，质谱对引入栅网后的等离子体中的反应粒子随电子 温度的变化进行了测量，得出了甲烷等离子体中反应粒子的含碳量随电子温度的 降低而增加的规律。 我们首先引入了电子能量分析器，针对加入栅网后等离子体电子温度分布函 数的改变，进行了初步的测量。 入惰性气体——氩气，氦气来改变等离子体电子温度的实验。 在各种工业等离子体反应装置中使用氩气，氦气等作为反应气体是很常见 的，但对它们的研究通常只限于研究各种宏观工艺参数和气体掺入的关系上。从 等离子体电子温度改变的角度来进行探讨和解释，还未见报道。 surfatron表面波装置中，我们使用甲烷作为反应气体，通过可 在wave．guide 见光谱，质谱作为诊断手段，详细研究了在不同惰性气体含量情况下电子温度的 改变使等离子体中反应粒子发生的变化，并简单讨论了其对DLC膜合成的影响。 在EACVD装置中，我们结合金刚石膜生长的实际，研究了掺入惰性气体后 电子温度的改变对合成的金刚石膜的表面形貌的影响，并通过可见光谱，观察了 合成过程中反应粒子的变化。通过对反应中纳米金刚石合成过程的反应粒子的质 谱诊断，发现了合成纳米金刚石过程新的生长粒子的存在。 关键词：等离子体电子温度控制 栅网 惰性气体反应粒子 Abstract to is activedemand Inthe of in in industry,it technology plasma application the indifferent to electron methodcontrol realizeaeffective temperature plasma lower soft in to a selectiveand as etching， highly d