《1.8 GHz CMOS高效率E类功率放大器》.pdfVIP

集成电路设计与开发 and ofIC Design ncvel叩mem 1．8GHz CMOS高效率E类功率放大器 杜春山，陈常勇，刘章发 (北京交通大学电子工程系，北京100044) 摘要：电予产品的低功耗设计已成为研究的热点，低功耗、高效率功率放大器已成为降低系 统功耗的关键所在。E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器，理论上可以达到100％的漏 极效率，具有广泛的应用前景。论述了用标准cMOs工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸 多挑战以及一些相应的解决措施，并以0．18“mCMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类 dBm的输出功率时，具有 功率放大器。Spectre仿真结果表明，所设计的功率放大器在+25．5 52．8％的功率附加效率。 关键词：E类功率放大器；高效率；开关功率放大器 中图分类号：TN722．75文献标识码：A A1．8GHzCMOSCl习髑-EP0wer Aml，lmer耐thlIighEmciency DU Chun-shaIl，CHEN Ch蚰g-yong，UUZhaIlg-fa (卿l咖船础矿蕊啪疵如咖鲫嚼，嘲魄施韵增洳獗嘶，毋抛100044，C矗妇) Abstn瞄：Thelow ineleetroIlic beeonlesa research A p们佗rconsuInptiondesign p删ucts hotspot． witlllow t}Ie toreducewhole p佣旭r跏lplifier p们盹rconsunlption柚demciencycomributes啪8tly system high winl100％dlain inaswitched powerconsunlpti帆．髓eoretically，(、hss-Epower姗plifier emciencyopemtes mode舭cIh勰试de soluti咖sin CMOS applie撕on chaHenges蚰d potential8．’rhe imple啪mingh讪e伍cient Cl鹪s—E wereillustra_ted．A C1鹊8-E the wa8 p伽陀ramplifier8 two—stage power姐lplifier stage includ