《超细高纯SiO2国内外同类产品对比分析报告》.docVIP

超细高纯SiO2国内外同类产品对比分析报告 一、结晶型 1、与国内同行业产品比较分析 （1）粒度 电子行业对硅微粉产品的粒度分布要求，细粉为1000目，d50 8-10μm，≤10μm≥65%，对粒度段没有精确划分，对最大颗粒没有列出控制指标（见《研究报告》表5）。 （2）纯度 电子工业用硅微粉产品技术指标要求，结晶硅微粉优等品SiO2含量≥99.7%，其杂质为Fe2O3和Al2O3，控制指标分别为≤0.01%，≤0.10%，对水萃取液有电导率、Na+、Cl-的控制要求，其中：电导率≤5us/cm，Na+≤2ppm，Cl-≤2ppm（见《研究报告》表6）。 （3）白度 电子工业用硅微粉产品的技术指标没有对产品白度作具体要求，根据对行业众多企业的产品检测来看，白度都在93左右，少数企业产品能达到95。 2、与国外同类产品比较分析 （1）粒度 美国角形/类球形硅微粉粒度指标，细颗粒定为d903μm（见《研究报告》表11）。 （2）纯度 美国角形/类球形硅微粉产品的纯度，标准品SiO2含量≥99.85%，其杂质为Fe2O3、Al2O3、CaO+Mg、放射性元素。控制指标分别为Fe2O3≤0.004%，Al2O3≤0.004%，CaO+Mg≤0.007，放射性元素≤0.0001%（见《研究报告》表11）。 （3）白度 美国角形/类球形硅微粉白度经我们检测为＞96。 二、熔融型 1、与国内同行业产品比较分析 （1）粒度 电子行业对结晶型和熔融型硅微粉的粒度，细粉定为1000目，d50 8-10μm，≤10μm≥65%，对粒度段未精确划分，对最大颗粒没有列出控制指标（见《研究报告》表5）。 （2）纯度 电子行业对熔融型硅微粉产品的技术指标要求，优等品SiO2含量≥99.8%，其杂质为Fe2O3和Al2O3，控制指标为Fe2O3≤0.008%，Al2O3未列出。无定形SiO2≥98%，对水萃取液电导率、Na+、Cl-有控制要求，其中：电导率≤5us/cm，Na+≤2ppm，Cl-≤2ppm（见《研究报告》表6）。 （3）白度 行业标准里未对产品白度列出指标。 2、与国外同类产品比较分析 （1）粒度 美国熔融硅微粉粒径最细定在d90 3μm。 （2）纯度 美国该产品纯度为SiO2含量≥99.85%（见《研究报告》表11）。 日本该产品纯度为SiO2含量≥99.90%，其杂质控制指标：Fe≤198ppm，Al≤410ppm，Ca≤42ppm，Na+＜0.1ppm，K+＜0.2ppm，Cl-＜0.67ppm，pH 4.5（见《研究报告》表13）。 （3）白度 美国产品白度＞96。日本产品白度95-97。 三、球形超细高纯SiO2 1、与国内同行业产品比较分析 （1）粒度 电子行业对球形硅微粉目前尚未制定标准，可参照电子及电器工业用硅微粉标准。国内该行业生产企业对球形粉的粒度用d50（中位径）表达。目前能生产的球形或类球形硅微粉最细粒度为d50 10μm，最大粒径大于40μm，成球率≥95%。从产品信息资料上查证，有些生产单位有指标但没有产品。 （2）纯度 行业标准未见球形硅微粉技术指标，可参照电子及电器工业用硅微粉标准。 从浙江通达威鹏电气有限公司球形硅微粉技术指标的内容来看，未标注SiO2含量，主要杂质含量Na≤20ppm，K≤10ppm，Ca≤10ppm，Mg≤1ppm，水萃取液离子含量Na≤2ppm，K≤1ppm，Cl≤1ppm，电导率≤10us/cm，pH值5.5-8.5（见《研究报告》表10）。 （3）白度 行业未对该产品白度制定标准。对浙江通达威鹏电气有限公司的样品检测，其白度为R457 95。 2、与国外同类产品比较分析 （1）粒度 美国球形硅微粉颗粒粒径为d85 1μm（见《研究报告》表11）。 日本球形硅微粉颗粒粒径为d50 0.25μm（见《研究报告》表14）。 （2）纯度 美国球形硅微粉SiO2含量99.89%，Fe2O30.00035%，Al2O30.0025%，Ca+Mg0.005%，放射性元素0.00005%（见《研究报告》表11）。 日本球形硅微粉SiO2含量＞99.9%，Fe＜8ppm，Al＜40ppm，Ca＜2ppm，Na+＜0.1ppm，K+＜0.2ppm，Cl-＜0.1ppm，pH值5.2，U≤0.5ppm（见《研究报告》表13）。 （3）白度 美国产品白度为96，日本产品白度为95-97。 四、技术指标综合评价 1、国内行业标准对电子及电器用硅微粉在纯度指标上最高定为SiO2含量≥99.80%，在粒度指标上定为最细1000目，d50（中位径）8-10μm，白度未定指标。 2、从美国和日本的产品技术指标来看，纯度为SiO2含量≥99.9%，粒度为d85 1μm、d500.25μm，白度高于96。无论纯度、粒