一种基于有源忆阻器模型的混沌电路-论文.pdfVIP

第 14卷 第20期 2014年7月 科 学 技 术 与 工 程 Vn1．14 No．20 Ju1．2014 1671— 1815(2014)20—0162—05 ScienceTechnologyandEn~neefing ⑥ 2014 Sci．Tech．Engrg． 物理学 一 种基于有源忆阻器模型的混沌电路 张效伟 李冠林 陈希有 李春阳 (大连理工大学电气工程学院，大连 116023) 摘 要 提出一种内部状态变量导数中含有平方项的有源忆阻器模型；并基于该模型构造了一个仅含电容、电感和忆阻器三 个元件的混沌电路系统。该系统仅包含有一个平衡点；且吸引子关于原点中心对称。通过系统的李雅普诺夫指数谱和分岔 图发现，在不同的电阻参数下该系统会以混沌危机和倒分岔两种方式退出混沌。最后，利用运算放大器等对该忆阻器进行电 路模拟，给出了混沌系统的电路实现。 关键词 忆阻器 混沌电路 分岔 中图法分类号 O415．5 TN941．7； 文献标志码 A 电阻、电容和电感是三种最基本的电路元件， 和忆阻器三个元件的混沌系统。该系统存在一个平 这三个元件分别涉及电压与电流、电荷与电压以及 衡点，且相图相对于平衡点亦具有对称性。通过李 磁通与电流之间的关系。但 电压、电流、电荷和磁通 雅普诺夫指数谱和分岔图分析发现，当某个与特征 这四个量之间的关系显然不仅限于上述三种。由 值有关的参数发生变化时，系统由混沌状态突然退 此，1971年蔡少棠提出了一种新的电路元件——忆 化为单周期极限环；而当另一个与特征值无关的参 阻器 ；它反映了电荷和磁通之间的关系，被称为 数变化时，系统通过倒分岔方式退出混沌。最后 ，本 “丢失的第 四种元件”。随后又提出了忆阻器系 文给出了该混沌系统的电路实现。 统 J，将忆阻器视为忆阻系统的一种特例。忆阻器 被发现后，并没有引起足够的关注，这使得忆阻器的 1 忆阻器模型 应用和发展受到极大的限制，直到2008年HP公司 1．1 忆阻器数学描述 成功的制造出纳米忆阻器 J，国内外的研究人员开 在文献[17]的忆阻器模型基础上，提出如下忆 始审视对忆阻器研究的重要性 。目前，继纳米 阻器模型： 忆阻器之后又发现了半导体忆阻器_8J，并有学者对 H ： (W 一1)i (1) 忆阻器的建模和电路模拟等问题进行了研究 。 W=i一 一ki (2) 忆阻器具有记忆特性和非线性特性，它的非线 式中，u 是忆阻器两端的电压，i是流过忆阻器的 性特性，使其在混沌电路中有较好的应用。现在已 电流，W是忆阻器的内部状态变量。忆阻器的阻值 知能产生混沌的忆阻器模型有折线模型和三次方模 受W的影响，并且 由式 (2)可知，状态变量W的导数 型等 卜。。用忆阻器的三次方模型和折线模型替 中含有平方项，且 k为负数 。 代蔡氏二极管，得到的电路方程和吸引子与蔡氏电 1．2 忆阻器静态和动态伏安特性 路及几种变形的蔡氏电路很相似。文献 [17]提出 若有恒定 电流流过该忆阻器，稳定后忆阻器的 了一种有源忆阻器模型，并且基于这个忆阻器模型 给出了一个仅包含电容、电感和忆阻器的混沌电路